[发明专利]一种用于电子元件的无硅亚光聚酯薄膜

权利要求书

1.一种用于电子元件的无硅亚光聚酯薄膜，其特征在于，无硅亚光聚酯薄膜为A/B/A三层结构的全亚型，芯层B与面层A由纯PET聚酯切片、无硅PET聚酯切片按不同配比组成，两个面层A通过挤出模头共挤于芯层B的上下表面；面层A和芯层B均含有硫酸钡开口剂，按照质量比，其中面层A配比为：无硅PET聚酯切片100％，芯层B配比为：纯PET聚酯切片:无硅PET聚酯切片＝(10％～20％):(80％～90％)；

所述无硅PET聚酯切片的制备方法:选用粒径在3-4μm硫酸钡作为开口剂，硫酸钡通过原位聚合的方式与PET单体相结合，制得无硅PET聚酯切片，其中硫酸钡含量为15000-33000ppm，特性粘度为0.62～0.8dL/g。

2.根据权利要求1所述用于电子元件的无硅亚光聚酯薄膜，其特征在于，通过三层共挤双向拉伸法制得的三层无硅亚光聚酯薄膜的厚度为12-75μm。

3.一种用于电子元件的无硅亚光聚酯薄膜，其特征在于，无硅亚光聚酯薄膜为A/B/C三层结构的单亚型，面层A与面层C由纯PET聚酯切片、无硅PET聚酯切片按不同配比组成，面层A与面层C通过挤出模头共挤于芯层B的上下表面；面层A与面层C均含有硫酸钡开口剂,按照质量比，其中面层A配比：纯PET聚酯切片:无硅PET聚酯切片＝(0～50％):(50％～100％)，芯层B配比：纯PET聚酯切片100％；面层C配比：纯PET聚酯切片:无硅PET聚酯切片＝95％:5％；

所述无硅PET聚酯切片的制备方法:选用粒径在3-4μm硫酸钡作为开口剂，硫酸钡通过原位聚合的方式与PET单体相结合，制得无硅PET聚酯切片，其中硫酸钡含量为15000-33000ppm，特性粘度为0.62～0.8dL/g。

4.根据权利要求1所述用于电子元件的无硅亚光聚酯薄膜，其特征在于，所述通过三层共挤双向拉伸法制得的单亚型无硅亚光聚酯薄膜的厚度为12-75μm。