[发明专利]一种用于电子元件的无硅亚光聚酯薄膜

说明书

本发明公开了一种用于电子元件的无硅亚光聚酯薄膜，无硅亚光聚酯薄膜为A/B/A三层结构的全亚型或A/B/C三层结构的单亚型，面层含有硫酸钡开口剂的无硅PET聚酯切片，芯层含或不含硫酸钡开口剂的无硅PET聚酯切片，按照质量比，面层通过挤出模头共挤于芯层的上下表面制得无硅亚光聚酯薄膜。本发明中的硫酸钡既作为无硅亚光聚酯薄膜开口剂，又作为PET聚酯切片的改性材料，克服了普通亚光薄膜对电子元件的影响，具有无硅环保、无残留，优异的化学稳定性、机械强度高、使用寿命长等诸多性能。

技术领域

本发明涉及聚酯薄膜，尤其是一种用于电子元件的无硅亚光聚酯薄膜。

背景技术

为防止PET薄膜在收卷时层与层之间的粘连，使膜卷在放卷和分切时更顺滑，在PET原料中必须添加开口剂。目前应用最广泛的开口剂是二氧化硅，但在储存及使用过程中，膜表面有微量的二氧化硅析出物产生，对于电子行业，二氧化硅析出物会对电子元件的电阻率和散热有较大的影响。对静电剂、爽滑剂和成核剂等助剂也有吸附副作用。因此，必须克服二氧化硅开口剂对于电子元件的影响，寻找适应特定的高精电子元件领域的开口剂代替二氧化硅。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，提供一种用于电子元件的无硅亚光聚酯薄膜，用硫酸钡作开口剂代替常规的二氧化硅，解决普通亚光膜的二氧化硅析出问题，提高亚光膜的机械强度、光学性能达到与普通亚光膜标准相当的无硅亚光聚酯薄膜性能特征。

为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：一种用于电子元件的无硅亚光聚酯薄膜，无硅亚光聚酯薄膜为A/B/A三层结构的全亚型，芯层B与面层A由纯PET聚酯切片、无硅PET聚酯切片按不同配比组成，两个面层A通过挤出模头共挤于芯层B的上下表面；面层A和芯层B均含有硫酸钡开口剂，按照质量比，其中面层A配比为：无硅PET聚酯切片100％，芯层B配比为：纯PET聚酯切片:无硅PET聚酯切片＝(10％～20％):(80％～90％)。

或者，一种用于电子元件的无硅亚光聚酯薄膜，无硅亚光聚酯薄膜为A/B/C三层结构的单亚型，面层A与面层C由纯PET聚酯切片、无硅PET聚酯切片按不同配比组成，面层A与面层C通过挤出模头共挤于芯层B的上下表面；面层A与面层C均含有硫酸钡开口剂,按照质量比，其中面层A配比：纯PET聚酯切片:无硅PET聚酯切片＝(0～50％):(50％～100％)，芯层B配比：纯PET聚酯切片100％；面层C配比：纯PET聚酯切片:无硅PET聚酯切片＝95％:5％。

所述无硅PET聚酯切片的制备方法:选用粒径在3-4μm硫酸钡作为开口剂，硫酸钡通过原位聚合的方式与PET单体相结合，制得无硅PET聚酯切片，其中硫酸钡含量为15000-33000ppm，特性粘度为0.62～0.8dL/g。

通过三层共挤双向拉伸法制得的三层无硅亚光聚酯薄膜的厚度为12-75μm。

本发明的有益效果是：

(1)通过将硫酸钡通过原位聚合的方式掺入纯PET聚酯切片得到无硅PET聚酯切片，将无硅PET聚酯切片用于制作包括全亚、单亚型无硅亚光聚酯薄膜，通过三层共挤法制膜，薄膜的面层及芯层均含有硫酸钡，具有无硅环保的特点，优异的机械强度、抗析出性、使用寿命长等优点。

(2)本发明中，硫酸钡除了用作开口剂，还通过原位聚合与PET单体分子结合，形成的分子具有独特的球形和类球形晶型和比表面积，改性后的PET结晶过程缩短，提高了结晶速率。显著提高PET流动性和热变形温度，对PET基体有增强作用。在一定范围内，能明显增强薄膜的机械强度，改善材料的韧性和强度，提高材料的热稳定性和耐老化性能，光学性能达到普通亚光膜的性能标准。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述；显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。