[发明专利]一种提高硅片表面粗糙度的抛光工艺在审
| 申请号： | 202111226360.X | 申请日： | 2021-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN113927377A | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 张超仁;侯国荣;王彦君;孙晨光;曹锦伟 | 申请（专利权）人： | 中环领先半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;B24B29/02 |
| 代理公司： | 苏州高专知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32474 | 代理人： | 冷泠 |
| 地址： | 214200 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 硅片 表面 粗糙 抛光 工艺 | ||
1.一种提高硅片表面粗糙度的抛光工艺，其特征在于，包括以下步骤：
S1、首先选用直径为200mm，无单晶缺陷(COP-Free)的晶棒,并在抛光前检查设备状态，保证无异常后进行工艺调节；
S2、设定大盘转速与中心导轮转速、抛光冰机温度；
S3、抛光机的粗抛垫为FPK660C2；抛光机的中抛垫为7355-000FE；抛光机的精抛垫为275NX平垫；
S4、保证抛光机上料贴蜡机里的FFU设置和排风设置的协调性，检查静电离子棒的工作状态，确保贴蜡机内部环境达到一级颗粒标准；
S5、校准滴蜡量；
S6、校准抛光液加工流量和冷却水流量，确保加工过程中产品的去除速率和抛光温度稳定；
S7、抛光结束后，使用运输水车将产品送至预清洗上料，洗净产品背面蜡层和表面颗粒后，使用粗糙度测试仪测量产品表面粗糙度。
2.根据权利要求1所述的提高硅片表面粗糙度的抛光工艺，其特征在于：所述大盘转速与中心导轮转速为1：2。
3.根据权利要求1所述的提高硅片表面粗糙度的抛光工艺，其特征在于：所述抛光冰机温度设定为30℃。
4.根据权利要求1所述的提高硅片表面粗糙度的抛光工艺，其特征在于：所述S2中粗抛液为NP6504，配比为1：15；中抛液为NP7000，配比为1：30；精抛液为NP8000，配比为1：30。
5.根据权利要求1所述的提高硅片表面粗糙度的抛光工艺，其特征在于：所述滴蜡量为1.5ml。
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