[发明专利]一种提高硅片表面粗糙度的抛光工艺

说明书

本发明一种提高硅片表面粗糙度的抛光工艺，S1、首先选用直径为200mm，无单晶缺陷(COP‑Free)的晶棒,并在抛光前检查设备状态，保证无异常后进行工艺调节；S2、设定大盘转速与中心导轮转速、抛光冰机温度；S3、粗抛垫为FPK660C2；中抛垫为7355‑000FE；精抛垫为275NX平垫；S4、保证抛光机上料贴蜡机里的FFU设置和排风设置的协调性，检查静电离子棒的工作状态，确保贴蜡机内部环境达到一级颗粒标准；S5、校准滴蜡量；S6、校准抛光液加工流量和冷却水流量；S7、抛光结束后，预清洗上料，洗净产品背面蜡层和表面颗粒后，测量产品表面粗糙度。本发明加工出来的硅片具有粗糙度低的优点。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种提高硅片表面粗糙度的抛光工艺。

背景技术

无论是从科技还是经济的角度看，半导体的重要性都是非常巨大且难以替代的，政府对产业的扶持态度也十分坚定。随着我国半导体制造生产线投产、半导体制造技术的不断进步及半导体终端产品市场的飞速发展，我国大陆半导体硅片市场步入了飞跃式发展阶段，2016年至2018年，我国大陆半导体单晶硅片销售额从5.0亿美元上升至9.92亿美元，年均复合增长率高达41％。前瞻根据年复合增速进行测算，2020年中国大陆半导体单晶硅片销售额约为19.8亿美元，我国半导体产业景气度持续走高，迎来新一轮发展机遇。随着我国经济发展方式的转变、产业结构的加快调整，工业化和信息化的深度融合，加上政府大力推进本地的信息消费，预估到2025年时，中国半导体未来七年的市场需求将持续以每年6％的复合成长率增长，中国半导体市场(1.67兆元人民币或2,380亿美元)占全球的份额将从2018年的50％增加到2025年的56％,从目前全球晶圆厂产能建设情况来看，200mm晶圆厂仍是主要的盈利方向。

现有的硅片抛光工艺加工出来的硅片粗糙度高。

发明内容

本发明的目的是提供一种提高硅片表面粗糙度的抛光工艺。

本发明通过如下技术方案实现上述目的：一种提高硅片表面粗糙度的抛光工艺，包括以下步骤：

S1、首先选用直径为200mm，无单晶缺陷(COP-Free)的晶棒,并在抛光前检查设备状态，保证无异常后进行工艺调节；

S2、设定大盘转速与中心导轮转速、抛光冰机温度；

S3、抛光机的粗抛垫为FPK660C2；抛光机的中抛垫为7355-000FE；抛光机的精抛垫为275NX平垫；

S4、保证抛光机上料贴蜡机里的FFU设置和排风设置的协调性，检查静电离子棒的工作状态，确保贴蜡机内部环境达到一级颗粒标准；

S5、校准滴蜡量；

S6、校准抛光液加工流量和冷却水流量，确保加工过程中产品的去除速率和抛光温度稳定；

S7、抛光结束后，使用运输水车将产品送至预清洗上料，洗净产品背面蜡层和表面颗粒后，使用粗糙度测试仪测量产品表面粗糙度。

进一步的，所述大盘转速与中心导轮转速为1：2。

进一步的，所述抛光冰机温度设定为30℃。

进一步的，所述S2中粗抛液为NP6504，配比为1：15；中抛液为NP7000，配比为1：30；精抛液为NP8000，配比为1：30。

进一步的，所述滴蜡量为1.5ml。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：加工出来的硅片具有粗糙度低的优点。

附图说明

图1为使用老款精抛垫抛光后粗糙度测试原始数据。

图2为使用老款精抛垫抛光后显微镜下产品抛光面粗糙度。