[发明专利]光伏电池及其制备方法、光伏组件有效

专利信息
申请号: 202111230185.1 申请日: 2021-10-22
公开(公告)号: CN113675289B 公开(公告)日: 2022-03-01
发明(设计)人: 王钊;郑霈霆;杨洁 申请(专利权)人: 浙江晶科能源有限公司
主分类号: H01L31/068 分类号: H01L31/068;H01L31/0352;H01L31/18;H01L31/048
代理公司: 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 代理人: 成丽杰
地址: 314416 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 电池 及其 制备 方法 组件
【权利要求书】:

1.一种光伏电池,其特征在于,包括:

基底;

发射极,位于所述基底一侧的表面,所述发射极包括:

至少两个相互间隔的第一掺杂区;

第二掺杂区,位于相邻所述第一掺杂区之间,且所述第二掺杂区与相邻两个所述第一掺杂区之间具有间隙;

过渡区,位于所述间隙中,且所述过渡区侧壁与所述第一掺杂区侧壁和所述第二掺杂区侧壁相接触,所述第一掺杂区、所述过渡区以及所述第二掺杂区中具有相同的掺杂元素,所述掺杂元素为N型掺杂元素或P型掺杂元素,且所述掺杂元素在所述第一掺杂区中的浓度小于在所述第二掺杂区中的浓度;

所述过渡区与所述第二掺杂区相接触处为参考面,所述掺杂元素在所述过渡区中的浓度随所述过渡区与所述参考面间的距离的减小而增大,沿垂直于所述参考面的方向上,所述第二掺杂区的宽度与所述过渡区的宽度的比值为3:1~1:1;

沿所述第一掺杂区指向所述基底的方向上,所述掺杂元素在所述第一掺杂区中的掺杂深度、在所述过渡区中的掺杂深度以及在所述第二掺杂区中的掺杂深度依次增大,而且,所述掺杂元素在所述过渡区中的掺杂深度逐渐增大。

2.如权利要求1所述的光伏电池,其特征在于,沿垂直于所述参考面的方向上,所述过渡区的宽度为30um~50um。

3.如权利要求1所述的光伏电池,其特征在于,所述掺杂元素在所述过渡区与所述第一掺杂区相接触处的浓度范围为1×1018atoms/cm3~7×1018atoms/cm3,所述掺杂元素在所述参考面处的浓度范围为5×1019atoms/cm3~3×1020atoms/cm3

4.如权利要求1所述的光伏电池,其特征在于,所述过渡区的方阻随所述过渡区与所述参考面间的距离的减小而减小。

5.如权利要求4所述的光伏电池,其特征在于,所述过渡区与所述第一掺杂区相接触处的方阻为170ohm/sq~500ohm/sq,所述参考面处的方阻为50ohm/sq~100ohm/sq。

6.如权利要求4所述的光伏电池,其特征在于,所述过渡区的方阻随所述过渡区与所述参考面间的距离的减小而线性减小。

7.如权利要求1所述的光伏电池,其特征在于,所述第一掺杂区、所述过渡区以及所述第二掺杂区中具有相同的半导体元素。

8.一种光伏电池的制备方法,其特征在于,包括:

提供基底;

在所述基底一侧的表面形成至少两个相互间隔的第一掺杂区;

在相邻所述第一掺杂区的间隔中形成第二掺杂区,且所述第二掺杂区与相邻两个所述第一掺杂区之间具有间隙;

在所述间隙中形成过渡区,所述过渡区侧壁与所述第一掺杂区侧壁和所述第二掺杂区侧壁相接触,所述第一掺杂区、所述过渡区以及所述第二掺杂区中具有相同的掺杂元素,所述掺杂元素为N型掺杂元素或P型掺杂元素,且所述掺杂元素在所述第一掺杂区中的浓度小于在所述第二掺杂区中的浓度,所述第一掺杂区、所述过渡区以及所述第二掺杂区共同构成发射极;

所述过渡区与所述第二掺杂区相接触处为参考面,所述掺杂元素在所述过渡区中的浓度随所述过渡区与所述参考面间的距离的减小而增大,在垂直于所述参考面的方向上,所述第二掺杂区的宽度与所述过渡区的宽度的比值为3:1~1:1;

沿所述第一掺杂区指向所述基底的方向上,所述掺杂元素在所述第一掺杂区中的掺杂深度、在所述过渡区中的掺杂深度以及在所述第二掺杂区中的掺杂深度依次增大,而且,所述掺杂元素在所述过渡区中的掺杂深度逐渐增大。

9.如权利要求8所述的制备方法,其特征在于,所述第一掺杂区、所述过渡区以及所述第二掺杂区由同一初始膜层形成。

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