[发明专利]光伏电池及其制备方法、光伏组件

说明书

本申请实施例涉及太阳能领域，提供一种光伏电池及其制备方法、光伏组件，光伏电池包括：基底；位于基底一侧表面的发射极包括：至少两个相互间隔的第一掺杂区；第二掺杂区，位于相邻第一掺杂区之间，且第二掺杂区与相邻两个第一掺杂区之间具有间隙；过渡区，位于间隙中，第一掺杂区、过渡区和第二掺杂区中具有相同的掺杂元素，且掺杂元素在第一掺杂区中的浓度小于在第二掺杂区中的浓度；过渡区与第二掺杂区相接触处为参考面，掺杂元素在过渡区中的浓度随过渡区与参考面间的距离的减小而增大，沿垂直于参考面的方向上，第二掺杂区的宽度与过渡区的宽度的比值为3：1~1：1。本申请实施例至少有利于提高发射极中载流子的传输效率。

技术领域

本申请实施例涉及太阳能领域，特别涉及一种光伏电池及其制备方法、光伏组件。

背景技术

光伏电池是一种将太阳能转化为电能的半导体器件。由于需要兼备电极与发射极之间的良好的欧姆接触，以及提高在太阳光入射部位的短波段的光谱响应，越来越多的厂家开始应用选择性发射极光伏电池。

选择性发射极光伏电池的主要特点是电极区域高掺杂浓度，光照区域低掺杂浓度，目的是在不降低电极与半导体材料的接触质量的前提下提高硅片表面钝化质量，减少硅片表面复合和发射极的复合，提高蓝光波段的量子响应和电池性能。

目前，选择性发射极光伏电池的核心是制作选择性掺杂结构。但是，由于掺杂工艺的影响，发射极中掺杂元素的浓度存在突变现象，使得掺杂元素浓度高的区域到掺杂元素浓度低的区域之间的电势差突变，阻碍发射极中载流子的传输。

发明内容

本申请实施例提供一种光伏电池及其制备方法、光伏组件，至少有利于提高发射极中载流子的传输效率，以提高光伏电池的光电转换效率。

根据本申请一些实施例，本申请实施例一方面提供一种光伏电池，包括：基底；发射极，位于所述基底一侧的表面，所述发射极包括：至少两个相互间隔的第一掺杂区；第二掺杂区，位于相邻所述第一掺杂区之间，且所述第二掺杂区与相邻两个所述第一掺杂区之间具有间隙；过渡区，位于所述间隙中，且所述过渡区侧壁与所述第一掺杂区侧壁和所述第二掺杂区侧壁相接触，所述第一掺杂区、所述过渡区以及所述第二掺杂区中具有相同的掺杂元素，所述掺杂元素为N型掺杂元素或P型掺杂元素，且所述掺杂元素在所述第一掺杂区中的浓度小于在所述第二掺杂区中的浓度；所述过渡区与所述第二掺杂区相接触处为参考面，所述掺杂元素在所述过渡区中的浓度随所述过渡区与所述参考面间的距离的减小而增大，沿垂直于所述参考面的方向上，所述第二掺杂区的宽度与所述过渡区的宽度的比值为3：1~1：1。

根据本申请一些实施例，本申请实施例另一方面还提供一种光伏电池的制备方法，包括：提供基底；在所述基底一侧的表面形成至少两个相互间隔的第一掺杂区；在相邻所述第一掺杂区的间隔中形成第二掺杂区，且所述第二掺杂区与相邻两个所述第一掺杂区之间具有间隙；在所述间隙中形成过渡区，所述过渡区侧壁与所述第一掺杂区侧壁和所述第二掺杂区侧壁相接触，所述第一掺杂区、所述过渡区以及所述第二掺杂区中具有相同的掺杂元素，所述掺杂元素为N型掺杂元素或P型掺杂元素，且所述掺杂元素在所述第一掺杂区中的浓度小于在所述第二掺杂区中的浓度，所述第一掺杂区、所述过渡区以及所述第二掺杂区共同构成发射极；所述过渡区与所述第二掺杂区相接触处为参考面，所述掺杂元素在所述过渡区中的浓度随所述过渡区与所述参考面间的距离的减小而增大，沿垂直于所述参考面的方向上，所述第二掺杂区的宽度与所述过渡区的宽度的比值为3：1~1：1。

根据本申请一些实施例，本申请实施例又一方面还提供一种光伏组件，包括：电池串，由多个上述任一所述的光伏电池连接形成，或者由多个上述任一所述的光伏电池的制备方法制备的光伏电池连接形成；封装胶膜，用于覆盖所述电池串的表面；盖板，用于覆盖所述封装胶膜背离所述电池串的表面。

本申请实施例提供的技术方案至少具有以下优点：