[发明专利]一种高介电化合物及其制备方法、环氧高介电材料及其制备方法、半导体器件有效

专利信息
申请号: 202111230897.3 申请日: 2021-10-21
公开(公告)号: CN113979902B 公开(公告)日: 2022-07-22
发明(设计)人: 刘捷;李倩倩;于淑会;孙蓉 申请(专利权)人: 中国科学院深圳先进技术研究院
主分类号: C07C317/28 分类号: C07C317/28;C07C315/04;C08G59/50;C08G59/22;C08G59/24;C08J3/28;C09D163/00;H01L29/51;C08L63/00
代理公司: 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 代理人: 孟洁
地址: 518055 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 高介电 化合物 及其 制备 方法 环氧高介电 材料 半导体器件
【权利要求书】:

1.一种高介电化合物,其特征在于,所述高介电化合物的化学式为

其中,R为中的一种。

2.一种如权利要求1所述的高介电化合物的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

将蒽酮和N-Boc-3-氨基丙基溴进行亲核加成反应,再经过脱Boc反应后得到第一产物;

将第一产物与R所对应的化合物进行加成反应,即得高介电化合物;

其中,第一产物的化学式为

若R为则R所对应的化合物为双(乙烯基磺酰)甲烷;

若R为则R所对应的化合物为双(乙烯基磺酰)乙烷。

3.如权利要求2所述的高介电化合物的制备方法,其特征在于,将蒽酮和N-Boc-3-氨基丙基溴进行亲核加成反应具体反应条件为:以四氢呋喃作为反应体系的溶剂,KOH作催化剂,于62~66℃下加热回流20~24h。

4.如权利要求2所述的高介电化合物的制备方法,其特征在于,所述脱Boc反应后得到第一产物具体为:将蒽酮和N-Boc-3-氨基丙基溴进行亲核加成反应得到的反应产物置于二氯甲烷溶解,然后加入盐酸甲醇溶液,洗涤后,旋干后即得第一产物。

5.如权利要求2所述的高介电化合物的制备方法,其特征在于,将第一产物与R所对应的化合物进行加成反应具体为:将第一产物与R所对应的化合物加入至甲苯中,加热回流后,置于醇溶剂中沉淀,洗涤后即得高介电化合物。

6.如权利要求2所述的高介电化合物的制备方法,其特征在于,所述蒽酮和N-Boc-3-氨基丙基溴的摩尔比为1:(1.2~1.5),所述第一产物与R所对应的化合物的摩尔比为1:(2~2.5)。

7.一种环氧高介电材料,其特征在于,包括环氧树脂、如权利要求2~6中任一所述的制备方法制备得到的第一产物以及高介电化合物。

8.一种如权利要求7所述的环氧高介电材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

将所述第一产物以及高介电化合物加入至环氧树脂中混合均匀后,使用紫外光照射进行光固化,即得环氧高介电材料。

9.如权利要求8所述的环氧高介电材料的制备方法,其特征在于,所述环氧树脂包括1,4-丁二醇二缩水甘油醚、双酚A二缩水甘油醚、聚乙二醇二缩水甘油醚中的至少一种;

所述光固化条件为:光强为7~10mW/cm2、光照时间为5~10min;

所述第一产物、高介电化合物、环氧树脂的质量比为1:(0.2~0.6):(0.5~3)。

10.一种半导体器件,其特征在于,包括环氧高介电材料固化膜层,所述环氧高介电材料固化膜层的制备方法为:将权利要求8~9任一所述的制备方法制备得到的环氧高介电材料涂覆于基体上固化后得到。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院深圳先进技术研究院,未经中国科学院深圳先进技术研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111230897.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top