[发明专利]半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光元件，包括：

n型半导体层，其由n型AlGaN系半导体材料构成，

活性层，其被设置在上述n型半导体层的第1上表面，由AlGaN系半导体材料构成，

p型半导体层，其被设置在上述活性层上，

p侧接触电极，其被设置于上述p型半导体层的上表面，包含Rh，

n侧接触电极，其被设置于上述n型半导体层的第2上表面，

保护层，其具有被设置在上述p侧接触电极上的p侧焊盘开口、以及被设置在上述n侧接触电极上的n侧焊盘开口，覆盖上述n型半导体层、上述活性层及上述p型半导体层的侧面，并在与上述p侧焊盘开口不同的位置处覆盖上述p侧接触电极，在与上述n侧焊盘开口不同的位置处覆盖上述n侧接触电极，

p侧焊盘电极，其在上述p侧焊盘开口处与上述p侧接触电极连接，以及

n侧焊盘电极，其在上述n侧焊盘开口处与上述n侧接触电极连接；

上述保护层包含：第1电介质层，其由SiO₂构成，第2电介质层，其由与上述第1电介质层不同的氧化物材料构成，并覆盖上述第1电介质层，以及第3电介质层，其由SiO₂构成，并覆盖上述第2电介质层；

上述第1电介质层的碳浓度小于上述第3电介质层的碳浓度；

上述第1电介质层、上述第2电介质层及上述第3电介质层相对于上述活性层所发出的深紫外光的波长的透射率分别为80％以上。

2.如权利要求1所述的半导体发光元件，其中，

上述第1电介质层的厚度比上述n侧接触电极的厚度及上述p侧接触电极的厚度更大。

3.如权利要求1或2所述的半导体发光元件，其中，

上述第1电介质层的厚度为500nm以上1000nm以下；

上述第2电介质层的厚度及上述第3电介质层的厚度为10nm以上100nm以下。

4.一种半导体发光元件的制造方法，包括：

在由n型AlGaN系半导体材料构成的n型半导体层的第1上表面形成由AlGaN系半导体材料构成的活性层的工序，

在上述活性层上形成p型半导体层的工序，

除去上述p型半导体层及上述活性层的一部分，使得上述n型半导体层的第2上表面露出的工序，

在上述p型半导体层的上表面形成包含Rh的p侧接触电极的工序，

在上述n型半导体层的上述第2上表面形成n侧接触电极的工序，

形成由第1氧化物材料构成，覆盖上述n型半导体层、上述活性层及上述p型半导体层的侧面，并覆盖上述p侧接触电极及上述n侧接触电极的第1电介质层的工序，

形成由与上述第1氧化物材料不同的第2氧化物材料构成，并覆盖上述第1电介质层的第2电介质层的工序，

以原子层沉积法来形成由SiO₂构成，并覆盖上述第2电介质层的第3电介质层的工序，

除去上述p侧接触电极上的上述第1电介质层、上述第2电介质层及上述第3电介质层，从而形成p侧焊盘开口的工序，

除去上述n侧接触电极上的上述第1电介质层、上述第2电介质层及上述第3电介质层，从而形成n侧焊盘开口的工序，

形成在上述p侧焊盘开口处与上述p侧接触电极连接的p侧焊盘电极的工序，以及

形成在上述n侧焊盘开口处与上述n侧接触电极连接的n侧焊盘电极的工序；

上述第1电介质层、上述第2电介质层及上述第3电介质层相对于上述活性层所发出的深紫外光的波长的透射率分别为80％以上。

5.如权利要求4所述的半导体发光元件的制造方法，其中，

上述第1电介质层由等离子体增强化学气相沉积法形成，上述第2电介质层由原子层沉积法形成。