[发明专利]半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法

说明书

本发明可提高半导体发光元件的可信性及发光效率。半导体发光元件(10)包括保护层(38)，该保护层(38)具有被设置在p侧接触电极(30)上的p侧焊盘开口(38p)、以及被设置在n侧接触电极(34)上的n侧焊盘开口(38n)，覆盖n型半导体层(24)、活性层(26)及p型半导体层(28)的侧面(24c)、(26c)、(28c)，并在与p侧焊盘开口(38p)不同的位置处覆盖p侧接触电极(30)，在与n侧焊盘开口(38n)不同的位置处覆盖n侧接触电极(34)。保护层(38)包含：第1电介质层(42)，其由SiO₂构成；第2电介质层(44)，其由与第1电介质层(42)不同的氧化物材料构成，并覆盖第1电介质层(42)；以及第3电介质层(46)，其由SiO₂构成，并覆盖第2电介质层(44)。第1电介质层(42)的碳浓度小于第3电介质层(46)的碳浓度。

技术领域

本发明涉及半导体发光元件及半导体发光元件的制造方法。

背景技术

半导体发光元件具有被层叠在基板上的n型半导体层、活性层及p型半导体层，在n型半导体层上设置有n侧电极，在p型半导体层上设置有p侧电极。在半导体发光元件的表面，设置有由氧化硅构成的保护膜(例如，参照专利文献1)。

[现有技术文献]

[非专利文献]

专利文献1：日本特开2016-171141号

发明内容

[发明要解决的课题]

作为耐湿性较高的保护膜，已知氮化硅，但因为氮化硅具有吸收紫外光的特性，所以可能会导致发光效率的降低。

本发明鉴于这样的问题而完成，其目的在于提供一种能够提高耐湿性及发光效率这两者的半导体发光元件。

[用于解决技术课题的技术方案]

本发明的一个方案的半导体发光元件包括：n型半导体层，其由n型AlGaN系半导体材料构成；活性层，其被设置于n型半导体层的第1上表面，由AlGaN系半导体材料构成；p型半导体层，其被设置在活性层上；p侧接触电极，其被设置于p型半导体层的上表面，包含Rh；n侧接触电极，其被设置于n型半导体层的第2上表面；保护层，其具有被设置在p侧接触电极上的p侧焊盘开口、以及被设置在n侧接触电极上的n侧焊盘开口，覆盖n型半导体层、活性层及p型半导体层的侧面，在与p侧焊盘开口不同的位置处覆盖p侧接触电极，在与n侧焊盘开口不同的位置处覆盖n侧接触电极；p侧焊盘电极，其在p侧焊盘开口处与p侧接触电极连接；以及n侧焊盘电极，其在n侧焊盘开口处与n侧接触电极连接。保护层包含：第1电介质层，其由SiO₂构成；第2电介质层，其由与第1电介质层不同的氧化物材料构成，覆盖第1电介质层；以及第3电介质层，其由SiO₂构成，覆盖第2电介质层。第1电介质层的碳浓度小于第3电介质层的碳浓度。第1电介质层、第2电介质层及第3电介质层相对于活性层所发出的深紫外光的波长的透射率分别为80％以上。