[发明专利]可实现反射光定向抑制和增强的Anti-PT对称RS光子晶体结构在审
| 申请号： | 202111232274.X | 申请日： | 2021-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN113934077A | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 杨荣 | 申请（专利权）人： | 湖北科技学院 |
| 主分类号： | G02F1/35 | 分类号： | G02F1/35;G02F1/355 |
| 代理公司： | 咸宁鸿信专利代理事务所(普通合伙) 42249 | 代理人： | 刘喜 |
| 地址： | 437100 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 实现 反射光 定向 抑制 增强 anti pt 对称 rs 光子 晶体结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种可实现反射光定向抑制和增强的Anti-PT对称RS光子晶体结构，其特征在于，包括两个RS光子晶体；所述RS光子晶体由两种折射率高、低不同电介质薄片按照RS序列规则依次堆叠而成，形成关于中心原点对称分布结构；通过调制各电介质薄片的折射率虚部，使光子晶体结构满足Anti-PT对称分布，即折射率满足条件：n(z)＝-n*(-z)；整个结构可以表示成：HHHLHHLHHHHLLLHLL'H'L'L'L'H'H'H'H'L'H'H'L'H'H'H'，其中电介质薄片H和L'表示为高折射率的第一电介质层，电介质薄片H'和L表示低折射率的第二电介质层。
2.根据权利要求1所述一种可实现反射光定向抑制和增强的Anti-PT对称RS光子晶体结构，其特征在于，所述第一电介质层的基质材料为硅，所述第二电介质层的基质材料为铌酸锂。
3.根据权利要求1所述一种可实现反射光定向抑制和增强的Anti-PT对称RS光子晶体结构，其特征在于，所述Anti-PT对称RS光子晶体对左反射光增强，而对右反射光抑制；该效应能够用于对光波反射进行定向抑制或增强。
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