[发明专利]一种硅芯焊接用反光罩及制备方法在审
申请号: | 202111232710.3 | 申请日: | 2021-10-22 |
公开(公告)号: | CN114025439A | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
发明(设计)人: | 吴晓涛;黄仁忠;兰海明;王帅;王高民;褚欣 | 申请(专利权)人: | 江苏华研新材料研究院有限公司 |
主分类号: | H05B3/00 | 分类号: | H05B3/00;F21V7/00;F21V7/28;F21V23/00;C30B28/14;C30B29/06;C23C24/04;H02G3/04 |
代理公司: | 南京普睿益思知识产权代理事务所(普通合伙) 32475 | 代理人: | 张丽丽 |
地址: | 221100 江苏省徐州市高新技*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 焊接 反光 制备 方法 | ||
本发明公开了本发明涉及一种硅芯焊接用反光罩及制备方法。所述涂层系银涂层,所述方法为采用冷喷涂技术制备高反射涂层。所述涂层的厚度为50‑200微米,制作成本低,涂层强度高,涂层孔隙率低。该涂层耐机械冲击和高温,反射光线效率高,使用寿命长,可以有效的提高反光罩对高温光的聚焦能力,提高聚焦点的温度,大幅度降低涂层制备的费用。
技术领域
本发明涉及多晶硅生产设备领域,具体是指一种硅芯焊接用反光罩及制备方法。
背景技术
多晶硅作为电子信息和新能源的基础材料之一,其需求量不断增大,品质要求不断提高。目前多晶硅制备工艺中,改良西门子法占据了主流地位,该方法主要利用多晶硅还原炉中的硅芯生产多晶硅。随着多晶硅还原炉技术的发展,硅芯的长度要求大幅提升,单根硅芯的成本增加,然而受限于成本、工艺、运输和安装等因素,导致直接生产超长的硅芯成本较高,同时,对于折断的硅芯也往往报废处理。为了解决硅芯较短,折断等问题,一般通过硅芯焊接,提高硅芯的长度,通过各类方法加热硅芯端面,使得硅芯端面融化后对接,实现硅芯的焊接。常见的加热硅芯端面的方法有高频电加热、激光加热和高温灯聚焦加热的方式。其中,高温灯聚焦加热的方式通过将高温灯产生的光聚焦在硅芯端面,产生高温融化硅芯。在该方法中,对高温光线聚焦的主要部件为钟形反光罩,反光罩要求内壁具有高反射的效果,将高温灯产生的光线反射。
传统的反射灯罩内壁涂层的制备主要采用真空离子镀、电镀等方法,镀层材料主要为金,这些方法成本高,效率低,且传统的反光罩不便于对线缆的拆装。
发明内容
本发明要解决的技术问题是克服以上的技术缺陷,提供一种硅芯焊接用反光罩及制备方法。
为解决上述技术问题,本发明提供的技术方案为:一种硅芯焊接用反光罩,包括罩体,所述罩体的上端设有线缆安装管,所述线缆安装管上设有可拆的连接管,所述连接管的上端设有锥形束线管,所述锥形束线管的上端卡设有T型密封圈,所述罩体的内壁涂有耐高温层,所述耐高温层的表面喷涂有银涂层。
作为改进,所述线缆安装管的外壁设有外螺纹,所述连接管的内壁设有与外螺纹螺纹配合的内螺纹。
作为改进,所述连接管上圆周设有若干凸条。
作为改进,所述罩体的形状为钟形。
作为改进,所述银涂层采用冷喷涂的方式进行喷涂。
一种硅芯焊接用反光罩的制备方法,包括以下具体步骤:
步骤S1:分别制作罩体以及连接管;
步骤S2:对步骤S1中的罩体内壁进行喷砂处理,除去表面的氧化层和污渍,喷砂处理后继续用丙酮或酒精清洗;
步骤S3:对罩体内壁进行预热处理,预热温度为100~300℃,预热时间30~60秒;
步骤S4:采用冷喷涂方法将银粉末喷涂在罩体内壁上形成银涂层;
步骤S5:对喷涂后的银涂层进行抛光处理;
步骤S6:对抛光处理后的罩体以及连接管进行组合安装。
作为改进,所述步骤S4中采用的银粉末的纯度大于99.99%。
作为改进,所述步骤S4中,冷喷涂方法采用氮气进行冷喷涂,喷涂工艺参数为:喷涂距离20~30mm,喷涂压力3~5MPa,喷涂温度600~1000℃,喷嘴与反光罩内壁法线角度呈60~90°。
作为改进,所述步骤S5中,抛光后的银涂层表面粗糙度为Ra0.8um。
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