[发明专利]用于包封电子元件的模制化合物和封装体

权利要求书

1.一种用于包封电子元件的封装体，其中，所述封装体包括：

第一固化模制化合物(2)，其中，所述第一固化模制化合物包括树脂(4)和嵌入所述树脂(4)中的填料颗粒(6)，

其中，所述填料颗粒(6)包括第二固化模制化合物(8)，以及

其中，所述第一固化模制化合物(2)基于第一固化行为，所述第二固化模制化合物(8)基于不同于所述第一固化行为的第二固化行为，其中，所述第一固化模制化合物的玻璃化转变温度不同于第二固化模制化合物的玻璃化转变温度。

2.根据权利要求1所述的封装体，其中：

所述第一固化模制化合物(2)和所述第二固化模制化合物(8)中的第一个的第一玻璃化转变温度在75℃至125℃的范围内，以及

所述第一固化模制化合物(2)和所述第二固化模制化合物(8)中的第二个的第二玻璃化转变温度在150℃至200℃的范围内。

3.根据权利要求1或2所述的封装体，其中，所述第二固化模制化合物(8)在所述第一固化模制化合物(2)中的浓度在1wt％至25wt％的范围内。

4.根据前述权利要求中任一项所述的封装体，其中，所述填料颗粒的最大尺寸在50微米至200微米的范围内。

5.根据前述权利要求中任一项所述的封装体，其中，所述封装体包括嵌入所述第二固化模制化合物(8)中的另外的填料颗粒(12)。

6.根据权利要求5所述的封装体，其中，所述另外的填料颗粒(12)包括片状填料颗粒。

7.根据前述权利要求中任一项所述的封装体，其中：

所述第一固化模制化合物(2)和所述第二固化模制化合物(8)中的第一个的热膨胀系数在6至8ppm/K的范围内，以及

所述第一固化模制化合物(2)和所述第二固化模制化合物(8)中的第二个的热膨胀系数在15至30ppm/k的范围内。

8.根据前述权利要求中任一项所述的封装体，其中，所述第一固化模制化合物(2)具有600V的相比漏电起痕指数值。

9.根据前述权利要求中任一项所述的封装体，其中：

所述第一固化模制化合物(2)的吸水率高于所述第二固化模制化合物(8)的吸水率，以及

所述第一固化模制化合物(2)的重量损失高于所述第二固化模制化合物(8)的重量损失。

10.根据前述权利要求中任一项所述的封装体，其中，所述封装体包括由所述第一固化模制化合物(1)和所述第二固化模制化合物(8)形成的嵌段共聚物材料。

11.一种制造用于包封电子元件的封装体的方法，其中，所述方法包括：

在第一固化行为中固化第一模制化合物；

将第一固化模制化合物(2)分离成颗粒；

将第一固化模制化合物(2)的颗粒嵌入到未固化的第二模制化合物中；以及

通过在第二固化行为中固化第二模制化合物来产生封装体，其中，所述第一固化模制化合物(2)的玻璃化转变温度不同于第二固化模制化合物(8)的玻璃化转变温度。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，将第一固化模制化合物(2)分离成颗粒包括磨削所述第一固化模制化合物。

13.一种模制化合物，包括：

包含第一预聚合未固化模制化合物和第二预聚合模制化合物的模制粒料，其中，所述第二预聚合模制化合物被固化，其中，所述第一预聚合未固化模制化合物的玻璃化转变温度不同于所述第二预聚合模制化合物的玻璃化转变温度。