[发明专利]一种超低电源电压检测电路

权利要求书

1.一种超低电源电压检测电路，其特征在于，包括：

基准电压电路，所述基准电压电路接入待测电源电压，所述基准电压电路用于输出基准电压；其中，所述基准电压与所述待测电源电压以及所述超低电源电压检测电路所处环境的温度无关；

电压检测电路，所述电压检测电路包括上拉压控电流源和下拉恒流源，所述上拉压控电流源接入所述待测电源电压，所述下拉恒流源接入所述基准电压，所述电压检测电路用于根据所述基准电压实现对所述待测电源电压的检测；其中，所述电压检测电路的输出电压在所述待测电源电压升高至预设值时与所述待测电源电压一致。

2.根据权利要求1所述的超低电源电压检测电路，其特征在于，所述基准电压电路包括：

稳压电路、栅压产生电路、衬压产生电路和基准产生电路，所述稳压电路分别与所述栅压产生电路、所述衬压产生电路和所述基准产生电路电连接，所述基准产生电路分别与所述栅压产生电路和所述衬压产生电路电连接；

所述稳压电路接入所述待测电源电压并用于输出内部电源电压至所述栅压产生电路、所述衬压产生电路和所述基准产生电路；其中，所述内部电源电压与所述待测电源电压无关；

所述基准产生电路用于根据所述栅压产生电路输出的栅极电压和所述衬压产生电路输出的衬底电压输出所述基准电压。

3.根据权利要求2所述的超低电源电压检测电路，其特征在于，所述稳压电路包括：

第一N型晶体管，所述第一N型晶体管的栅极与所述第一N型晶体管的源极电连接，所述第一N型晶体管的漏极接入所述待测电源电压，所述第一N型晶体管的衬底接地；

第一P型晶体管，所述第一P型晶体管的栅极以及所述第一P型晶体管漏极接地，所述第一P型晶体管的源极与所述第一P型晶体管的衬底以及所述第一N型晶体管的源极电连接并输出所述内部电源电压。

4.根据权利要求2所述的超低电源电压检测电路，其特征在于，所述栅压产生电路包括：

第二P型晶体管，所述第二P型晶体管的栅极与所述第二P型晶体管的漏极电连接，所述第二P型晶体管的衬底与所述第二P型晶体管的源极电连接并接入所述内部电源电压；

第二N型晶体管，所述第二N型晶体管的栅极、所述第二N型晶体管的源极以及所述第二N型晶体管的衬底均接地，所述第二N型晶体管的漏极与所述第二P型晶体管的漏极电连接并输出所述栅极电压。

5.根据权利要求2所述的超低电源电压检测电路，其特征在于，所述衬压产生电路包括：

第三P型晶体管，所述第三P型晶体管的栅极与所述第三P型晶体管的漏极电连接，所述第三P型晶体管的衬底与所述第三P型晶体管的源极电连接并接入所述内部电源电压；

第三N型晶体管，所述第三N型晶体管的栅极、所述第三N型晶体管的源极以及所述第三N型晶体管的衬底接地，所述第三N型晶体管的漏极与所述第三P型晶体管的漏极电连接并输出所述衬底电压。

6.根据权利要求2所述的超低电源电压检测电路，其特征在于，所述基准产生电路包括：

第四P型晶体管，所述第四P型晶体管的栅极接入所述栅极电压，所述第四P型晶体管的源极接入所述内部电源电压，所述第四P型晶体管的衬底接入所述衬底电压；

第四N型晶体管，所述第四N型晶体管的栅极、所述第四N型晶体管的漏极以及所述第四P型晶体管的漏极电连接并输出所述基准电压，所述第四N型晶体管的源极以及所述第四N型晶体管的衬底接地。

7.根据权利要求1所述的超低电源电压检测电路，其特征在于，所述电压检测电路包括：

第五P型晶体管，所述第五P型晶体管的栅极接地，所述第五P型晶体管的源极与所述第五P型晶体管的衬底电连接并接入所述待测电源电压；其中，所述第五P型晶体管构成所述上拉压控电流源；

第五N型晶体管，所述第五N型晶体管的栅极接入所述基准电压，所述第五N型晶体管的源极以及所述第五N型晶体管的衬底接地，所述第五N型晶体管的漏极与所述第五P型晶体管的漏极电连接并作为所述电压检测电路的输出端；其中，所述第五N型晶体管构成所述下拉恒流源。