[发明专利]一种提高硅片表面平整度的抛光工艺在审
| 申请号： | 202111240064.5 | 申请日： | 2021-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN113977438A | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 殷博文;张超仁;曹锦伟;王彦君;孙晨光 | 申请（专利权）人： | 中环领先半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | B24B29/02 | 分类号： | B24B29/02;B24B7/22;B24B49/00;B24B57/02;H01L21/304 |
| 代理公司： | 苏州高专知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32474 | 代理人： | 冷泠 |
| 地址： | 214200 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 硅片 表面 平整 抛光 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高硅片表面平整度的抛光工艺，其特征在于，包括以下步骤：
S1、首先选用直径为200mm，无单晶缺陷(COP-Free)的晶棒,并在抛光前检查设备状态，保证无异常后进行工艺调节；
S2、设定大盘转速与中心导轮转速为1：2.1；
S3、设定粗抛垫型号为SUBA800平垫、中抛垫型号为SUBA600、精抛垫型号为7355-000FE；
S4、工艺调节完毕，再次对设备进行点检；
S5、设定滴蜡量为1.5ml、贴蜡区环境满足一级颗粒环境、冰机温度为30摄氏度、冰机流量和抛光液加工流量无异常；
S6、抛光结束后，使用运输水车将产品送至预清洗上料，洗净产品背面蜡层和表面颗粒后，使用ADE9600测试产品几何参数。
2.根据权利要求1所述的提高硅片表面平整度的抛光工艺，其特征在于：所述大盘转速与中心导轮转速为1：2.1。
3.根据权利要求1所述的提高硅片表面平整度的抛光工艺，其特征在于：所述抛光冰机温度小于35℃。
4.根据权利要求1所述的提高硅片表面平整度的抛光工艺，其特征在于：所述S2中粗抛液为NP6504，配比为1：15；中抛液为NP7000，配比为1：30；精抛液为NP8000，配比为1：30。
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