[发明专利]一种提高硅片表面平整度的抛光工艺在审
| 申请号： | 202111240064.5 | 申请日： | 2021-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN113977438A | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 殷博文;张超仁;曹锦伟;王彦君;孙晨光 | 申请（专利权）人： | 中环领先半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | B24B29/02 | 分类号： | B24B29/02;B24B7/22;B24B49/00;B24B57/02;H01L21/304 |
| 代理公司： | 苏州高专知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32474 | 代理人： | 冷泠 |
| 地址： | 214200 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 硅片 表面 平整 抛光 工艺 | ||
本发明一种提高硅片表面平整度的抛光工艺，S1、首先选用直径为200mm，无单晶缺陷(COP‑Free)的晶棒,并在抛光前检查设备状态，保证无异常后进行工艺调节；S2、设定大盘转速与中心导轮转速为1：2.1；S3、设定粗抛垫型号为SUBA800平垫、中抛垫型号为SUBA600、精抛垫型号为7355‑000FE；S4、工艺调节完毕，再次对设备进行点检；S5、设定滴蜡量为1.5ml、贴蜡区环境满足一级颗粒环境、冰机温度为30摄氏度、冰机流量和抛光液加工流量无异常；S6、抛光结束后，清洗上料，洗净产品背面蜡层和表面颗粒后，使用ADE9600测试产品几何参数。本发明加工出来的硅片具有平整度佳的优点。
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及提高硅片表面平整度的抛光工艺。
背景技术
现有的200mm硅片抛光工艺加工出来的硅片平整度不佳。
发明内容
本发明的目的是提供一种提高硅片表面平整度的抛光工艺。
本发明通过如下技术方案实现上述目的：一种提高硅片表面平整度的抛光工艺，包括以下步骤：
S1、首先选用直径为200mm，无单晶缺陷(COP-Free)的晶棒,并在抛光前检查设备状态，保证无异常后进行工艺调节；
S2、设定大盘转速与中心导轮转速为1：2.1；
S3、设定粗抛垫型号为SUBA800平垫、中抛垫型号为SUBA600、精抛垫型号为7355-000FE；
S4、工艺调节完毕，再次对设备进行点检；
S5、设定滴蜡量为1.5ml、贴蜡区环境满足一级颗粒环境、冰机温度为30摄氏度、冰机流量和抛光液加工流量无异常；
S6、抛光结束后，使用运输水车将产品送至预清洗上料，洗净产品背面蜡层和表面颗粒后，使用ADE9600测试产品几何参数。
进一步的，所述大盘转速与中心导轮转速为1：2.1。
进一步的，所述抛光冰机温度小于35℃。
进一步的，所述S2中粗抛液为NP6504，配比为1：15；中抛液为NP7000，配比为1：30；精抛液为NP8000，配比为1：30。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：加工出来的硅片具有平整度佳的优点。
附图说明
图1为抛光后几何参数Mapping图。
图2为整个SUB800平垫加工寿命期间产品的几何参数能力箱线图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明提供的提高硅片表面平整度的抛光工艺具体实施方式做详细说明。
一种提高硅片表面平整度的抛光工艺，包括如下步骤：
S1、首先选用直径为200mm，无单晶缺陷(COP-Free)的晶棒,并在抛光前检查设备状态，保证无异常后进行工艺调节；
S2、设定大盘转速与中心导轮转速为1：2.1，抛光冰机温度设定为30度，粗抛液为NP6504，配比为1：15、中抛液为NP7000，配比为1：30、精抛液为NP8000，配比为1：30；
S3、设定粗抛垫型号为SUBA800平垫、中抛垫型号为SUBA600、精抛垫型号为7355-000FE；
S4、工艺调节完毕，再次对设备进行点检；
S5、设定滴蜡量为1.5ml、贴蜡区环境满足一级颗粒环境、冰机温度为30摄氏度、冰机流量和抛光液加工流量无异常；
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