[发明专利]半导体结构及半导体结构的制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；

隔离结构，所述隔离结构形成于所述衬底内；

字线，所述字线的部分位于所述隔离结构内；

导电部，所述导电部位于所述隔离结构的底部。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述导电部与所述衬底相接触。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述导电部与所述衬底的电压均为负电压。

4.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述导电部包括：

第一导电层，所述第一导电层的部分位于所述隔离结构内。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一导电层与所述衬底相接触；

其中，所述第一导电层的材料包括多晶硅。

6.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述导电部还包括：

第二导电层，所述第二导电层与所述衬底相接触，所述第一导电层位于所述第二导电层的上表面。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第一导电层的材料包括金属材料，所述第二导电层的材料包括金属硅化物。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述字线为埋入式字线。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离结构为浅沟道隔离结构。

10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

第一接触插塞；

第二接触插塞，所述第一接触插塞和所述第二接触插塞分别位于所述字线的两侧；

其中，所述第一接触插塞和所述第二接触插塞均为电容接触插塞。

11.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述导电部位于所述字线的下方，且与所述字线绝缘设置。

12.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述导电部的高度小于所述导电部与所述字线之间的间距。

13.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在衬底内形成沟槽；

在所述沟槽内形成隔离结构，且所述隔离结构的底部形成有导电部；

在所述隔离结构上形成字线沟槽；

在所述字线沟槽内形成字线。

14.根据权利要求13所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成所述导电部包括：

在所述沟槽内形成第一导电层，所述第一导电层作为所述导电部；

其中，所述第一导电层与所述沟槽侧壁之间形成有第一绝缘层。

15.根据权利要求14所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在所述沟槽内沉积多晶硅，以形成所述第一导电层。

16.根据权利要求13所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成所述导电部包括：

通过所述沟槽在所述衬底上形成第二导电层；

在所述第二导电层的上表面形成第一导电层，所述第一导电层和所述第二导电层作为所述导电部；

其中，所述第一导电层形成于所述沟槽内，所述第一导电层与所述沟槽侧壁之间形成有第一绝缘层。

17.根据权利要求16所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在所述衬底内沉积第一金属材料并进行热处理，以形成金属硅化物，所述金属硅化物作为所述第二导电层；

在所述金属硅化物上形成第二金属材料，所述第二金属材料作为所述第一导电层。