[发明专利]半导体结构及半导体结构的制作方法

说明书

本公开涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构及半导体结构的制作方法。半导体结构，包括：衬底；隔离结构，隔离结构形成于衬底内；字线，字线的部分位于隔离结构内；导电部，导电部位于隔离结构的底部，用于排斥电子。通过使得导电部位于隔离结构的底部，从而在字线打开时，隔离结构底部的导电部会排斥表面电子，从而阻断漏电路径，以此避免半导体结构出现漏电问题，改善半导体结构的性能。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体结构及半导体结构的制作方法。

背景技术

随着DRAM(Dynamic Random Access Memory)尺寸的不断缩小，存储区域的晶体管尺寸也在不断缩小，由此带来严重的漏电流问题，影响器件性能。

发明内容

本公开提供一种半导体结构及半导体结构的制作方法，以改善半导体结构的性能。

根据本公开的第一个方面，提供了一种半导体结构，包括：

衬底；

隔离结构，隔离结构形成于衬底内；

字线，字线的部分位于隔离结构内；

导电部，导电部位于隔离结构的底部。

在本公开的一个实施例中，导电部与衬底相接触。

在本公开的一个实施例中，导电部与衬底的电压均为负电压。

在本公开的一个实施例中，导电部包括：

第一导电层，第一导电层的部分位于隔离结构内。

在本公开的一个实施例中，第一导电层与衬底相接触；

其中，第一导电层的材料包括多晶硅。

在本公开的一个实施例中，导电部还包括：

第二导电层，第二导电层与衬底相接触，第一导电层位于第二导电层的上表面。

在本公开的一个实施例中，第一导电层的材料包括金属材料，第二导电层的材料包括金属硅化物。

在本公开的一个实施例中，字线为埋入式字线。

在本公开的一个实施例中，隔离结构为浅沟道隔离结构。

在本公开的一个实施例中，半导体结构还包括：

第一接触插塞；

第二接触插塞，第一接触插塞和第二接触插塞分别位于字线的两侧；

其中，第一接触插塞和第二接触插塞均为电容接触插塞。

在本公开的一个实施例中，导电部位于字线的下方，且与字线绝缘设置。

在本公开的一个实施例中，导电部的高度小于导电部与字线之间的间距。

根据本公开的第二个方面，提供了一种半导体结构的制作方法，包括：

提供衬底；

在衬底内形成沟槽；

在沟槽内形成隔离结构，且隔离结构的底部形成有导电部；

在隔离结构上形成字线沟槽；

在字线沟槽内形成字线。

在本公开的一个实施例中，形成导电部包括：

在沟槽内形成第一导电层，第一导电层作为导电部；

其中，第一导电层与沟槽侧壁之间形成有第一绝缘层。