[发明专利]瞬态电压抑制型电路保护器件的制造方法

权利要求书

1.一种瞬态电压抑制型电路保护器件的制造方法，其特征在于，包括：

制作形成TVS二极管芯片，所述TVS二极管芯片具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面，所述第一表面和所述第二表面能够用于与电路连接，所述第一表面中具有预设的第一区域和除过所述第一区域的第二区域；

在所述第一区域上形成绝缘层，所述绝缘层上具有第一焊接窗口；

在所述第二区域上沉积金属复合层，形成第二焊接窗口；

提供内置导电熔丝、铜跳线以及金属框架底座，所述金属框架底座包括第一金属底座以及第二金属底座；

将所述铜跳线的一端固定连接在所述第一焊接窗口上，将所述铜跳线的另一端固定连接在所述第一金属底座上，将所述内置导电熔丝的一端固定连接在所述第二焊接窗口上，将所述内置导电熔丝的另一端固定在第一焊接窗口上，与所述铜跳线接触，形成失效开路二极管芯片；

进行塑封工艺，形成失效开路二极管器件。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，还包括：将所述第二金属底座焊接固定在所述第二表面。

3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述第一区域上形成绝缘层包括：在所述第一区域上依次沉积第一绝缘层和第二绝缘层，其中，所述第一绝缘层为半绝缘多晶硅SIPOS或氧化硅，所述第二绝缘层为低温氧化层LTO。

4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，在所述第一区域上依次沉积第一绝缘层和第二绝缘层包括：在所述第一表面依次沉积第一绝缘层和第二绝缘层，其中，所述第一绝缘层为半绝缘多晶硅SIPOS或氧化硅，所述第二绝缘层为低温氧化层LTO；

通过混合酸蚀刻液刻蚀所述第一绝缘层和第二绝缘层，仅保留位于第一区域上的第一绝缘层和第二绝缘层。

5.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述混合酸刻蚀液为：氢氟酸、硝酸和冰乙酸按体积比5：3：3的混合酸。

6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述第一区域上形成绝缘层包括：在所述第一区域上覆盖绝缘陶瓷片。

7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，还包括：提供过渡层，所述过渡层固定在所述金属复合层上，用于提高所述内置导电熔丝和所述金属复合层之间固定连接作用。

8.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述第一区域为位于所述第一表面中心的圆形，所述第二区域围合在所述第一区域的外周，所述过渡层为内径大于所述第一区域直径的铜环。

9.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述内置导电熔丝的制作方法为：

提供玻璃套管以及保险丝，所述玻璃套管的内直径是所述保险丝直径的1.5倍至2倍，将所述保险丝设置在所述玻璃套管中；

或者，

在保险丝上涂覆一层聚酰亚胺胶，并立刻在140℃-160℃的温度下烘烤1h-2h，形成与所述保险丝分离的聚酰亚胺层。

10.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，将所述内置导电熔丝的一端固定连接在所述第二焊接窗口上，将所述内置导电熔丝的另一端固定连接在所述铜跳线上的方式为焊接或者打线机打线。