[发明专利]瞬态电压抑制型电路保护器件的制造方法

说明书

一种瞬态电压抑制型电路保护器件的制造方法，将内置导电熔丝的一端固定连接在第二焊接窗口上，另一端固定在第一焊接窗口上，且与铜跳线接触，形成失效开路二极管芯片。使得所制得的器件当反向持续承受超过其浪涌承受能力的浪涌冲击时，器件的PN结烧损而短路失效，两端因持续带电而发热，当温度上升到超过所述置导电熔丝的熔断温度而导致保险丝熔断开路，又由于具有绝缘层，可以把二极管芯片与铜跳线间绝缘，所以当保险丝熔断开路后，整个器件即处于开路状态，从而使实现失效模式为开路的功能，对于保护电路具有更高的意义和价值。

技术领域

本发明涉及电路保护领域，具体涉及一种瞬态电压抑制型电路保护器件的制造方法。

背景技术

TVS是一种瞬态电压抑制型电路保护器件，被广泛用于各种电路中，用于保护后端器件免受前端电路瞬间产生的高压浪涌波动冲击。TVS在电路中平常处于反向截止状态，不工作；当电路中的浪涌电压超过TVS击穿电压时，TVS的PN结发生雪崩击穿，以PS级的快速反应，将TVS两端电压钳制在一个不超过后端器件额定电压的安全范围内，并转换成电流从TVS体内通过，且在其体内转换成热量散发掉，当电路浪涌电压降低于TVS击穿电压时，TVS恢复，呈现反向截止状态。

当TVS所吸收的浪涌波动能量超出TVS的承受极限时，TVS会因为发热过大而导致PN结烧损而出现短路现象。

由于TVS最终失效后会呈现短路状态，从而导致后端应用被短路，从而出现电路功能失效，而如果TVS两端一直承受电压，电流会一直从TVS体内通过，从而出现发热过大而导致客户的电路板烧损甚至旁边若有易燃物会导致起火风险。所以，现有技术中，TVS此种应用会考虑增加保险丝与TVS串联，以避免TVS失效短路后的继续发热而烧坏电路板现象。

但是，增加保险丝与TVS串联以保护电路板的方式会占用电路板的面积，并且需要额外增加一个熔断保险丝还会提高制造成本。因此，需要开发一种失效后为开路的瞬态电压抑制型电路保护器件成为一种非常有价值和有意义的产品发展方向。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种瞬态电压抑制型电路保护器件的制造方法，以解决目前的瞬态电压抑制型电路保护器件在使用时需要额外增加熔断保险丝的弊端。

根据第一方面，一种实施例中提供一种瞬态电压抑制型电路保护器件的制造方法，包括：

制作形成TVS二极管芯片，所述TVS二极管芯片具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面，所述第一表面和所述第二表面能够用于与电路连接，所述第一表面中具有预设的第一区域和除过所述第一区域的第二区域；

在所述第一区域上形成绝缘层，所述绝缘层上具有第一焊接窗口；

在所述第二区域上沉积金属复合层，形成第二焊接窗口；

提供内置导电熔丝、铜跳线以及金属框架底座，所述金属框架底座包括第一金属底座以及第二金属底座；

将所述铜跳线的一端固定连接在所述第一焊接窗口上，将所述铜跳线的另一端固定连接在所述第一金属底座上，将所述内置导电熔丝的一端固定连接在所述第二焊接窗口上，将所述内置导电熔丝的另一端固定连接在所述铜跳线上，形成失效开路二极管芯片；

进行塑封工艺，形成失效开路二极管器件。

可选的，还包括：将所述第二表面与所述第二金属底座固定连接。

可选的，在所述第一区域上形成绝缘层包括：在所述第一区域上依次沉积第一绝缘层和第二绝缘层，其中，所述第一绝缘层为半绝缘多晶硅SIPOS或氧化硅，所述第二绝缘层为低温氧化层LTO。

可选的，在所述第一区域上依次沉积第一绝缘层和第二绝缘层包括：在所述第一表面依次沉积第一绝缘层和第二绝缘层，其中，所述第一绝缘层为半绝缘多晶硅SIPOS或氧化硅，所述第二绝缘层为低温氧化层LTO；