[发明专利]一种Low-E玻璃薄膜及其制备工艺

权利要求书

1.一种Low-E玻璃薄膜，其特征在于，包括有薄膜基材和薄膜本体，所述薄膜本体包括介质膜和金属膜，具体结构如下：

薄膜基材，薄膜基材设置在玻璃基板的表面，用于支撑薄膜本体；

内保护层，内保护层涂覆在所述薄膜基材的上表面，用于保护薄膜基材；

介质膜，包括SiO₂和/或多孔硅，介质膜设置在所述内保护层的上表面，用于提高透光率、降低表面辐射率；

反射层，所述反射层设置为金属膜或金属掺杂膜，用于增加光学表面的反射率、降低光学表面的辐射率；

外保护层，外保护层涂覆在所述薄膜本体的上表面，用于耐磨、防老化、保护薄膜本体。

2.根据权利要求1所述的Low-E玻璃薄膜，其特征在于，所述介质膜设置在所述反射膜的下表面或表面。

3.根据权利要求1所述的Low-E玻璃薄膜，其特征在于，所述金属膜选自铝膜、金膜、铜膜、银膜中的一种或多种的混合。

4.根据权利要求1所述的Low-E玻璃薄膜，其特征在于，所述金属掺杂膜的主体材料选自TiO₂、SnO₂、WO₃、In₂O₃中的一种或多种的混合。

5.根据权利要求4所述的Low-E玻璃薄膜，其特征在于，所述金属掺杂膜中掺杂有Cs⁺、Fe³⁺、Al³⁺、Cu²⁺、Ag⁺、Co²⁺、Pt²⁺、Nb⁵⁺中的一种或多种的混合。

6.一种如权利要求1-5中任意一项所述Low-E玻璃薄膜的制备工艺，其特征在于，包括如下步骤：

S1、依次用超纯水、乙醇清洁薄膜基材，通过溶胶-凝胶法在烘干后的薄膜基材表面涂覆用于保护薄膜基材的内保护层，得到预处理后的薄膜基材；

S2、将步骤S1得到的薄膜基材送入镀膜装置内，维持镀膜装置内环境稳定，向镀膜装置内通入氧源和硅源，采用溅射镀膜法在内保护层的上表面镀上用于提高透光率、降低表面辐射率的介质膜，得到表面镀有SiO₂和/或多孔硅的薄膜；

S3、维持镀膜装置内环境稳定，向镀膜装置内通入对应的金属源，在S2得到的薄膜表面再次利用溅射法进行镀膜处理，在介质膜的上表面镀上用于增加光学表面的反射率、降低辐射率的反射膜，所述反射膜为金属膜，得到表面镀有金属膜的薄膜；

S4、镀膜结束后，从镀膜装置内取出S3得到的薄膜，通过溶胶-凝胶法在所得薄膜的上表面涂覆用于保护薄膜本体的外保护层，制得目标Low-E玻璃薄膜；

或者，所述Low-E玻璃薄膜的制备工艺包括如下步骤：

S1、依次用超纯水、乙醇清洁薄膜基材，通过溶胶-凝胶法在烘干后的薄膜基材表面涂覆用于保护薄膜基材的内保护层，得到预处理后的薄膜；

S2、将步骤S1得到的薄膜基材送入镀膜装置内，维持镀膜装置内环境稳定，向镀膜装置内通入氧源和硅源，采用溅射镀膜法在内保护层的上表面镀上用于提高透光率、降低表面辐射率的介质膜，得到表面镀有SiO₂和/或多孔硅的薄膜；

S3、维持镀膜装置内环境稳定，向镀膜装置内通入氧源和对应的金属粒子，在S2得到的薄膜基材表面再次利用溅射法进行镀膜处理，在介质膜的上表面镀上用于增加光学表面的反射率、降低辐射率的反射膜，所述反射膜为金属掺杂膜，得到表面镀有金属掺杂膜的薄膜；

S4、镀膜结束后，从镀膜装置内取出S3得到的薄膜，通过溶胶-凝胶法在所得薄膜的上表面涂覆用于保护薄膜本体的外保护层，制得目标Low-E玻璃薄膜。

7.根据权利要求6所述的制备工艺，其特征在于，对步骤S3得到的反射膜重复进行步骤S2，在所得反射膜的上表面通过溅射法镀上如步骤S2所述的介质膜。