[发明专利]基于半导体电路的逆变电路和电机控制器

权利要求书

1.一种基于半导体电路的逆变电路，其特征在于，所述逆变电路包括半导体电路和采样电路，所述采样电路的一端连接所述半导体电路的下桥臂开关管的输出端，所述采样电路的另一端接地，所述采样电路的阻值和所处的环境温度成正向变化。

2.根据权利要求1所述的逆变电路，其特征在于，所述采样电路包括采样电阻和与所述采样电阻并联的温度调整模块，所述温度调整模块的阻值和所述环境温度成正向变化。

3.根据权利要求1所述的逆变电路，其特征在于，所述温度调整模块为一个或多个并联的温度调整单元，所述温度调整单元的阻值和所述环境温度成正向变化。

4.根据权利要求3所述的逆变电路，其特征在于，所述温度调整单元包括PTC电阻。

5.根据权利要求3所述的逆变电路，其特征在于，所述温度调整单元包括第一NMOS管、第一电阻和NTC电阻；

所述第一NMOS管的漏极和所述第一电阻的一端共接于所述温度调整单元的一端，所述第一电阻的另一端和所述NTC电阻的一端共接于所述第一NMOS管的栅极，所述NTC电阻的另一端和所述第一NMOS管的源极共接于所述温度调整单元的另一端。

6.根据权利要求5所述的逆变电路，其特征在于，当所述温度调整单元为多个时，每个所述第一电阻的阻值不同。

7.根据权利要求3所述的逆变电路，其特征在于，所述温度调整单元包括第二NMOS管、电流源和二极管；

所述第二NMOS管的漏极和所述电流源的一端共接于所述温度调整单元的一端，所述温度调整单元的另一端和所述二极管的阳极共接于所述第二NMOS管的栅极，所述二极管的阴极和所述第二NMOS管的源极共接于所述温度调整单元的另一端。

8.根据权利要求7所述的逆变电路，其特征在于，当所述温度调整单元为多个时，每个所述电流源的输出电流值不同。

9.一种电机控制器，其特征在于，所述电机控制器包括MCU和如权利要求1至8任意一项所述的逆变电路，所述MCU的控制引脚连接所述逆变电路的控制输入端，所述半导体电路的三相上桥臂开关管的输出端为所述电解控制器的输出端以分别连接电机的三相绕组。