[发明专利]基于半导体电路的逆变电路和电机控制器在审

专利信息
申请号: 202111245153.9 申请日: 2021-10-26
公开(公告)号: CN114024461A 公开(公告)日: 2022-02-08
发明(设计)人: 冯宇翔;潘志坚;谢荣才;张土明;左安超 申请(专利权)人: 广东汇芯半导体有限公司
主分类号: H02M7/5387 分类号: H02M7/5387;H02P27/06;H02P25/16;G01R19/32;G01R19/25
代理公司: 深圳市辰为知识产权代理事务所(普通合伙) 44719 代理人: 陈建昌
地址: 528000 广东省佛山市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 基于 半导体 电路 电机 控制器
【说明书】:

发明涉及一种半导体电路的逆变电路和电机控制器,逆变电路包括半导体电路和采样电路,采样电路的一端连接半导体电路的下桥臂开关管的输出端,采样电路的另一端接地,采样电路的阻值和所处的环境温度成正向变化。从而起到了根据环境温度调整采样电流值的目的,避免了上述现有技术中的环境温度过高或过低时半导体电路和负载工作带来的问题,以此有效的提升整个逆变电路和负载的工作可靠性,提升其工作寿命,并提升其工作效率。

技术领域

本发明涉及一种基于半导体电路的逆变电路和电机控制器,属于半导体电路应用技术领域。

背景技术

半导体电路是一种将电力电子和集成电路技术结合的功率驱动类产品。半导体电路外表一般由注塑形成的树脂材料进行封装形成密封层,将内部的电路板、电子元件进行密封,引脚从密封层的一侧或者两侧伸出。基于半导体电路的逆变电路用于驱动电机等负载,其电路包括半导体电路、MCU、自举电容、母线电容、采样电阻以及其它一些电子元器件组成。采样电阻主要用于电流采样,把电流信号变为电压信号,电压信号通过分压反馈回半导体电路的过流保护端。过流保护端接收到电压信号后会与某一电压进行比较,当电流增大时,采样电阻的电压增大,当采样电阻电压大于比较电压时,半导体电路内部的过流保护就会动作。采样电阻采到的电压信号也同时包含着电机转动的信息,这个电压信号被送回MCU内部的运放器(OPA)放大处理后,再进行模数转换(ADC),变成数字信号进行运算处理。目前的样电阻并不能根据温度而进行自我调整,从而温度较高时保护不住,造成半导体电路的失效,而温度较低时又有可能误动作,本来温度低的情况下半导体电路可以承受较大电流,但实际已经发生保护,起不到真正电流保护的目的。因此现有的逆变电路的采样电路需要改进。

发明内容

本发明需要解决的技术问题是解决现有的基于半导体电路的逆变电路中的采样电路,由于其采用过程中温度变化如高温或低温状态采样值不准确带来的问题。

具体地,本发明公开一种基于半导体电路的逆变电路,逆变电路包括半导体电路和采样电路,采样电路的一端连接半导体电路的下桥臂开关管的输出端,采样电路的另一端接地,采样电路的阻值和所处的环境温度成正向变化。

可选地,采样电路包括采样电阻和与采样电阻并联的温度调整模块,温度调整模块的阻值和环境温度成正向变化。

可选地,温度调整模块为一个或多个并联的温度调整单元,温度调整单元的阻值和环境温度成正向变化。

可选地,温度调整单元包括PTC电阻。

可选地,温度调整单元包括第一NMOS管、第一电阻和NTC电阻;

第一NMOS管的漏极和第一电阻的一端共接于温度调整单元的一端,第一电阻的另一端和NTC电阻的一端共接于第一NMOS管的栅极,NTC电阻的另一端和第一NMOS管的源极共接于温度调整单元的另一端。

可选地,当温度调整单元为多个时,每个第一电阻的阻值不同。

可选地,温度调整单元包括第二NMOS管、电流源和二极管;

第二NMOS管的漏极和电流源的一端共接于温度调整单元的一端,温度调整单元的另一端和二极管的阳极共接于第二NMOS管的栅极,二极管的阴极和第二NMOS管的源极共接于温度调整单元的另一端。

可选地,当温度调整单元为多个时,每个电流源的输出电流值不同。

本发明还提出一种电机控制器,电机控制器包括MCU和如权利要求1至8任意一项的逆变电路,MCU的控制引脚连接逆变电路的控制输入端,半导体电路的三相上桥臂开关管的输出端为电解控制器的输出端以分别连接电机的三相绕组。

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