[发明专利]一种回流焊工艺及其模块结构在审

专利信息
申请号: 202111247406.6 申请日: 2021-10-26
公开(公告)号: CN114029578A 公开(公告)日: 2022-02-11
发明(设计)人: 刘正伟;陈酉冰;钱燕娟 申请(专利权)人: 江苏雷博微电子设备有限公司
主分类号: B23K3/00 分类号: B23K3/00;B23K3/08;H01L21/67;B23K101/40
代理公司: 江阴市权益专利代理事务所(普通合伙) 32443 代理人: 陈强
地址: 214437 江苏省无锡市江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 回流 焊工 及其 模块 结构
【说明书】:

发明一种回流焊工艺及其模块结构,包括下加热盘体、上加热盘体、装载单元、冷板单元、旋转传片单元、上密封腔体、下密封腔体等结构。装载单元及旋转传片单元负责将晶圆从FOUP中传递到下加热盘体中,进行回流工艺时上密封腔体下降,与下密封腔体形成密封的真空腔体,控制下加热盘体与上加热盘体温度,同时向腔体内填充含有甲酸的氮气,完成晶圆的回流工艺后,冷板单元用于冷却工艺结束后的晶圆。本发明适用于晶圆封装制程中的回流焊工艺,与传统的回流焊设备相比,具有工艺简单,产能高,单片的工艺成本低等特点。

技术领域

本发明涉及一种回流焊工艺及其模块结构,属于半导体技术领域。

背景技术

回流焊工艺是电子制程领域的重要工艺流程,主要用于焊接一些微小的元器件。在半导体先进封装制程中也会采用回流焊的工艺,用于加工成型芯片的引脚。传统回流焊工艺采用助焊剂方式时进行,需要预先涂覆助焊剂,回流工艺结束后还需清先助焊剂,工艺复杂,生产成本高。半导体先进封装制程采用更为先进的甲酸回流工艺,无需旋涂、清洗助焊剂,具有工艺简单,成本低,产能高的优点。但是,目前行业内同类的设备很少,只有少数国外厂商有类似的设备,国产替代率低,从而导致成本极高,不利于国内半导体行业的发展。

发明内容

本发明的目的在于克服上述不足,提供一种能够同时提高产能、降低工艺成本的回流焊工艺及其模块结构。

本发明的目的是这样实现的:

一种回流焊工艺,所述工艺步骤为:

步骤一、密封,上密封腔体下降,与下密封腔体接触形成工艺制程所需要真空腔;同时,多个下加热盘体和多个上加热盘体根据工艺设置不同的加热温度;

步骤二、载片,当温度达到设定数值时,晶圆通过门阀传递到装载单元上;

步骤三、回流焊,通过旋转传片单元将晶圆传递到下加热盘体上,随后下加热盘体上升,与下加热盘体形成封闭的工艺腔体后,含有甲酸的氮气通过上加热盘体上的进口进入到工艺腔体内,等待设定的工艺时间后,下加热盘体下降,通过旋转传片单元将晶圆传递到下一套下加热盘体上,直到在所有下加热盘体上完成回流焊工艺制程;

步骤四、冷却,完成回流焊工艺的晶圆通过旋转传片单元传递到冷板单元上,冷却结束后通过旋转传片单元将冷却后的晶圆传递到装载单元上,完成工艺制程的晶圆传递出回流焊工艺模块,同时传递待进行工艺制程的晶圆进入到回流焊工艺模块中。

一种回流焊工艺的模块结构,其特征在于:包含有安装于上腔体升降装置上的上密封腔体,位于上密封腔体的正下方的下密封腔体,所述上密封腔体和下密封腔体对合形成真空腔,且下密封腔体上安装的装载单元、冷板单元和多个下加热盘体成圆周排布,且上密封腔体上设置的多个上加热盘体与下加热盘体一一对应,且下加热盘体位于上加热盘体的正上方,所述下加热盘体或上加热盘体安装于升降机构上,且下加热盘体或上加热盘体对合形成工艺腔体,所述下加热盘体或上加热盘体设置有进气口,所述下密封腔体的中心设置有圆周运动的旋转传片单元。

优选的,下加热盘体、上加热盘体、装载单元和冷板单元上均安装有PIN针。

优选的,所述下密封腔体的侧壁上设置有门阀,且装载单元正对门阀,且冷板单元位于装载单元旁。

优选的,旋转传片单元包含有竖向设置的中心转轴,电机驱动的中心转轴位于下密封腔体的中心,且中心转轴的连接有多根传动臂,传动臂上设置有传片机构,且传片机构位于下加热盘体和上加热盘体之间。

优选的,所述上密封腔体的壳体上设置有嵌置有透明材料的观察窗,且观察窗位于装载单元和冷板单元的正上方。

与现有技术相比,本发明的有益效果是:

本发明工艺流程得到了极大的简化且工艺结构简单、使用方便,从而提高晶圆回流焊工艺的效率和稳定性,降低了工艺成本。

附图说明

图1为本发明一种回流焊工艺的模块结构的轴侧视图(上密封腔体打开);

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