[发明专利]发光装置

权利要求书

1.一种发光装置，其特征在于，包括：

衬底；

发光二极管，设置于所述衬底上；所述发光二极管包括依次设置于所述衬底上的第一电极层、第一功能层、第二电极层；

第一散热层，设置于所述衬底上；

并且，所述发光装置具有发光区和非发光区；所述发光二极管对应设置于所述发光区，所述第一散热层位于所述非发光区。

2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述第一功能层包括依次设置的空穴功能层、发光层和电子功能层；所述空穴功能层包括空穴注入层和/或空穴传输层；所述电子功能层包括电子注入层和/或电子传输层。

3.根据权利要求2所述的发光装置，其特征在于，所述第一功能层从所述发光区延伸至所述非发光区，形成第二功能层。

4.根据权利要求3所述的发光装置，其特征在于，在所述非发光区，所述第一散热层设置于所述空穴功能层与所述发光层之间，和/或

所述第一散热层设置于所述发光层和所述电子功能层之间。

5.根据权利要求2或3所述的发光装置，其特征在于，在所述非发光区，所述第一散热层设置于所述第一功能层的侧面，且所述第一散热层与所述第一功能层的高度相等。

6.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述发光装置还包括封盖层，所述封盖层设置于所述发光二极管背离所述衬底的一侧；所述封盖层背离所述发光二极管的一侧设置有第二散热层，且所述第二散热层位于所述非发光区。

7.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述第一散热层的材料包括导热系数50W/mK的非良导体材料；优选地，所述第一散热层的材料包括Si、SiC中的至少一种。

8.根据权利要求6所述的发光装置，其特征在于，所述第二散热层的材料包括导热系数50W/mK的非透光材料；优选地，所述第二散热层的材料包括SiC、聚酰亚胺、Au、Ag和Cu中的至少一种。

9.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述第二电极层为顶电极，设置于所述第一功能层背离所述衬底的一侧；所述第二电极层的金属部分的厚度≤20nm，可见光透光率≥90％。

10.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述发光二极管包括依次层叠设置的第一电极层、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和第二电极层；其中，

所述空穴注入层的材料包括PEDOT：PSS、CuPc、F4-TCNQ、HATCN、过渡金属氧化物、过渡金属硫系化合物中的至少一种；

所述空穴传输层的材料包括聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)、聚乙烯咔唑、聚(N,N'双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)、聚(9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、4,4'-二(9-咔唑)联苯、N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺、15N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺、石墨烯和C₆₀中的至少一种；

所述量子点发光层的材料包括II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、II-IV-VI族化合物和IV族单质中的至少一种；

所述电子传输层的材料包括ZnO、TiO₂、SnO₂、Ta₂O₃、ZrO₂、NiO、TiLiO、ZnAlO、ZnMgO、ZnSnO、ZnLiO、InSnO中的至少一种；

所述第二电极层的材料包括金属材料、碳材料、金属氧化物中的至少一种。