[发明专利]发光装置

说明书

本申请公开了一种发光装置。所述发光装置包括：衬底；发光二极管，设置于所述衬底上，所述发光二极管包括依次设置于所述衬底上的第一电极层、第一功能层、第二电极层；第一散热层，设置于所述衬底上；并且，所述发光装置具有发光区和非发光区；所述发光二极管对应设置于所述发光区，所述第一散热层位于所述非发光区。本申请的发光装置可以在不影响器件性能的前提下，可以大幅降低焦耳热的累积速率，可以提升器件在长时间电流驱动时的工作寿命。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种发光装置。

背景技术

QLED(Quantum Dots Light-Emitting Diode，量子点发光二极管)器件，是一种新兴的显示器件，结构与OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)器件相似，即空穴传输层、发光层以及电子传输层组成的三明治结构。QLED是一项介于液晶和OLED之间的新型技术，其核心技术为“Quantum Dot(量子点)”，量子点由锌、镉、硒和硫原子构成。早在1983年，美国贝尔实验室的科学家就对其进行深入研究，数年后美国耶鲁大学的物理学家马克·里德正式将其命名为“量子点”。量子点是一种粒子直径不足10nm的颗粒，由锌、镉、硫、硒原子组成。这种物质有一个极其特别的性质：当量子点受到光电刺激时，就会发出有色的光线，颜色是由组成量子点的材料和它的大小、形状决定。因为它有这种特性，所以能够改变光源发出的光线的颜色。量子点的发光波长范围非常窄，颜色又比较的纯粹，还可以调节，因此量子点显示器的画面会比液晶显示器的画面更加地清晰明亮。

与OLED对比，QLED的特点在于其发光材料采用性能更加稳定的无机量子点。量子点独特的量子尺寸效应、宏观量子隧道效应、量子尺寸效应和表面效应使其展现出出色的物理性质，尤其是其光学性能。相对于有机荧光染料，胶体法制备的量子点具有光谱可调，发光强度大、色纯度高、荧光寿命长，单光源可激发多色荧光等优势。此外，QLED的寿命长，封装工艺简单或无需封装，有望成为下一代的平板显示器，具有广阔发展前景。QLED是基于无机半导体量子点的电致发光，理论上说，无机半导体量子点的稳定性要高于有机小分子及聚合物；另一方面，由于量子限域效应，使得量子点材料的发光线宽更小，从而使其具有更好的色纯度。

然而，在研发过程中发现QLED器件依旧存在着很多问题。例如器件在电流驱动过程中，若发光区温度提升，对器件有明显的性能影响，而在器件通电时，不可避免的会产生焦耳热。研究如何减少焦耳热带来的器件性能降低的方案，是目前QLED研发或生产阶段急需的工艺之一。此外，顶发射器件由于强微腔效应，只有竖直方向上的出光读取可代表器件真实亮度，所以为了增加器件测试精度，并让顶发射在如积分球等全方向收集光的设备有效地测试顶发射QLED器件，也是一项重要的研究课题。

因此，亟待提供一种具有优异散热性能的QLED器件，可以有效减少因焦耳热而导致的器件性能降低的不良现象。

发明内容

本申请为了解决现有技术中的不足，提供了一种发光装置，可以在不影响发光二极管器件性能的前提下，可以大幅降低焦耳热的累积速率，可以提升器件在长时间电流驱动时的工作寿命。

本申请提供一种发光装置，其特征在于，包括：

衬底；

发光二极管，设置于所述衬底上，所述发光二极管包括依次设置于所述衬底上的第一电极层、第一功能层、第二电极层；

第一散热层，设置于所述衬底上；

并且，所述发光装置具有发光区和非发光区；所述发光二极管对应设置于所述发光区，所述第一散热层位于所述非发光区。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一功能层包括依次设置的空穴功能层、发光层和电子功能层。进一步地，所述空穴功能层包括空穴注入层和/或空穴传输层。进一步地，所述电子功能层包括电子注入层和/或电子传输层。