[发明专利]高阻膜及其制作方法、触控显示面板、显示装置

权利要求书

1.一种高阻膜，其特征在于，包括氧化硅和金属氧化物，所述高阻膜的方阻大于或者等于10⁸欧/方块，且小于或者等于10⁹欧/方块，波长在550nm下的透光率大于或者等于97.5％。

2.根据权利要求1所述的高阻膜，其特征在于，所述高阻膜的厚度大于或者等于10纳米且小于或者等于20纳米。

3.根据权利要求2所述的高阻膜，其特征在于，所述金属氧化物包括氧化铟、氧化锆、氧化锡、氧化锌、氧化铝、氧化钽中的至少一种。

4.根据权利要求3所述的高阻膜，其特征在于，所述高阻膜包括氧化硅、氧化铟和氧化锆，所述氧化硅的质量百分比含量大于或者等于1％且小于或者等于10％，所述氧化铟的质量百分比含量大于或者等于70％且小于或者等于80％，氧化锆的质量百分比含量大于或者等于5％且小于或者等于20％。

5.一种触控显示面板，其特征在于，包括阵列基板和设置在所述阵列基板一侧的高阻膜，所述高阻膜为权利要求1至4中任意一项所述的高阻膜。

6.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求5所述的触控显示面板。

7.一种高阻膜的制作方法，其特征在于，包括；

提供一镀膜设备；

提供一待镀膜基板，对所述待镀膜基板依次进行清洗和烘烤；

将包括氧化硅和金属氧化物的靶材和经过烘烤的所述待镀膜基板放入所述镀膜设备中，根据预设的工艺参数在所述待镀膜基板上镀膜，以形成高阻膜，所述高阻膜的方阻大于或者等于10⁸欧/方块，且小于或者等于10⁹欧/方块，波长在550nm下的透光率于或者等于97.5％。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述工艺参数包括：镀膜功率大于或者等于2Kw且小于或者等于3Kw。

9.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述工艺参数包括：在镀膜时所述待镀膜基板的温度大于或者等于80℃且小于或者等于100℃。

10.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述镀膜设备包括镀膜室，所述将包括氧化硅和金属氧化物的靶材和经过烘烤的待镀膜基板放入镀膜设备中，根据预设的工艺参数在待镀膜基板上镀膜，以形成高阻膜，包括：

将所述待镀膜基板放入所述镀膜室内；

将所述镀膜室内填充工作气体，所述工作气体括氧气和氩气，所述工作气体的氧气分压大于或者等于1％且小于或者等于1.8％。

11.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述将所述镀膜室内填充工作气体，包括：

使所述工作气体的压强大于或者等于0.1Pa且小于或者等于1Pa。

12.根据权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述将所述待镀膜基板放入所述镀膜室内，包括：

使所述镀膜室的温度大于或者等于100℃且小于或者等于185℃。