[发明专利]高阻膜及其制作方法、触控显示面板、显示装置

说明书

本申请提供一种高阻膜及其制作方法、触控显示面板、显示装置，通过使高阻膜的方阻在10⁸欧/方块之上，当手指进行触控探测时，高阻膜材料由于具备一定的电阻，不会将由于手指触控积累的电荷释放掉，避免了方阻过小时影响触控性能；同时通过使高阻膜的方阻在10⁹欧/方块之下，当有静电产生时，高电压的电荷可以通过高阻膜被导走，高阻膜可以起到释放静电的作用，避免了因为方阻过大时电荷难以被导走而导致的抗静电能力差的问题。波长在550nm下透光率不低于97.5％，使高阻膜具备良好的透光性。因此，本申请实施例中的高阻膜具有良好的抗静电能力和透光性，且不会影响触控功能。可以满足采用In‑Cell技术触控显示面板的性能需求。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体而言，本申请涉及一种高阻膜及其制作方法、触控显示面板、显示装置。

背景技术

随着薄膜晶体管液晶显示(Thin film transistor liquid crystal display，TFT-LCD)技术不断发展，对液晶显示器的轻量化和薄型化的需求越来越强烈，由此催生了In-Cell触控技术的发展，以实现液晶面板与触摸面板的一体化。In-cell是指将触控面板的功能集成到TFT-LCD显示面板中，该工艺是在TFT玻璃上直接形成高阻膜，因此可以节约一张玻璃基板，省掉贴合工序，不但降低了成本，还可以降低显示面板的厚度和重量，实现轻薄化。然而，现有的高阻膜存在着抗静电能力较差和透光率较低的问题，对显示面板的性能造成了影响。

发明内容

本申请针对现有方式的缺点，提出一种高阻膜及其制作方法、触控显示面板、显示装置，用以解决现有技术中的高阻膜存在的抗静电能力较差和透光率较低的问题。

第一个方面，本申请实施例提供了一种高阻膜，包括氧化硅和金属氧化物，所述高阻膜的方阻大于或者等于10⁸欧/方块，且小于或者等于10⁹欧/方块，波长在550nm下的透光率大于或者等于97.5％。

可选的，所述高阻膜的厚度大于或者等于10纳米且小于或者等于20纳米。

可选的，所述金属氧化物包括氧化铟、氧化锆、氧化锡、氧化锌、氧化铝、氧化钽中的至少一种。

可选的，所述高阻膜包括氧化硅、氧化铟和氧化锆，所述氧化硅的质量百分比含量大于或者等于1％且小于或者等于10％，所述氧化铟的质量百分比含量大于或者等于70％且小于或者等于80％，氧化锆的质量百分比含量大于或者等于5％且小于或者等于20％

第二个方面，本申请实施例提供了一种触控显示面板，包括阵列基板和设置在所述阵列基板一侧的高阻膜，所述高阻膜为本申请实施例中提供的高阻膜。

第三个方面，本申请实施例提供了一种显示装置，包括本申请实施例中提供的触控显示面板。

第四个方面，本申请实施例提供了一种高阻膜的制作方法，包括；

提供一镀膜设备；

提供一待镀膜基板，对所述待镀膜基板依次进行清洗和烘烤；

将包括氧化硅和金属氧化物的靶材和经过烘烤的所述待镀膜基板放入所述镀膜设备中，根据预设的工艺参数在所述待镀膜基板上镀膜，以形成高阻膜，所述高阻膜的方阻大于或者等于10⁸欧/方块，且小于或者等于10⁹欧/方块，波长在550nm下的透光率于或者等于97.5％。

可选的，所述工艺参数包括：镀膜功率大于或者等于2Kw且小于或者等于3Kw。

可选的，所述工艺参数包括：在镀膜时所述待镀膜基板的温度大于或者等于80℃且小于或者等于100℃。