[发明专利]OLED面板的双层LTPO背板结构

权利要求书

1.一种OLED面板的双层LTPO背板结构，包括基板、绝缘层PV1、GI层、绝缘层PV2、绝缘层PV3、有机平整层OC，其特征在于：所述基板上镀上金属层M0，所述绝缘层PV1覆盖在金属层M0上，所述绝缘层PV1上镀上a-si非晶硅层，所述a-si非晶硅层包括Poly半导体层和P+层；

所述绝缘层PV1上打VIA1洞，所述P+层上镀上金属层M0.5，所述GI层覆盖半导体层、P+层和金属层M0.5，所述GI层上镀上金属层M1，与P+层形成储存电容Cst；

所述绝缘层PV2覆盖金属层M1，所述绝缘层PV2镀膜形成IGZO半导体层，所述IGZO半导体层上分别镀上GI层和金属层M2，所述GI层将金属层M2与IGZO半导体层隔开；

所述绝缘层PV3覆盖金属层M2和IGZO半导体层，所述绝缘层PV3上打VIA3洞，所述绝缘层PV3上镀上金属层M3；

所述有机平整层OC覆盖金属层M3，所述有机平整层OC上打OC洞，所述有机平整层OC上镀上阳极金属层Anode与金属层M3相连，接收OVDD电流讯号，所述所述有机平整层OC上镀上画素定义层PDL，并在Anode处开口。

2.根据权利要求1所述的一种OLED面板的双层LTPO背板结构，其特征在于：所述a-si非晶硅层通过准分子激光退火工艺转化为Poly半导体层，通过高浓度硼离子注入工艺，形成欧姆接触用的P+层。

3.根据权利要求1所述的一种OLED面板的双层LTPO背板结构，其特征在于：所述金属层M3作为开关TFT的Source极、Drain极，Drain极接收外部IC送入的Data讯号，Source极和金属层M1相连，将DATA讯号送到驱动TFT的金属层M1并存储在电容Cst中。

4.一种权利要求1-3任意一项所述的OLED面板的双层LTPO背板结构的制备方法，其特征在于：具体包括以下步骤：

步骤1、基板上镀上金属层M0；

步骤2、绝缘层PV1覆盖金属层M0；

步骤3、在绝缘层PV1上镀上a-si非晶硅层；

步骤4、通过准分子激光退火工艺将A-si非晶硅层转化为Poly半导体层；

步骤5、通过高浓度硼离子注入工艺，形成欧姆接触用的P+层，作为Source极与Drain极；

步骤6、绝缘层PV1打VIA1洞；

步骤7、在P+层上镀上金属层M0.5；

步骤8、GI层覆盖半导体层、P+层和金属层M0.5；

步骤9、在GI层上镀上金属层M1，与P+层形成储存电容Cst；

步骤10、绝缘层PV2覆盖金属层M1，在PV2层镀膜形成IGZO半导体层，在IGZO半导体层上分别镀上GI层和金属层M2，GI层将金属层M2栅极与IGZO半导体层隔开；

步骤11、绝缘层PV3覆盖金属层M2和IGZO半导体层；

步骤12、绝缘层PV3打VIA3洞；

步骤13、在绝缘层PV3上镀上金属层M3，金属层M3作为开关TFT的Source极、Drain极，Drain极接收外部IC送入的Data讯号，Source极和金属层M1相连，将DATA讯号送到驱动TFT的金属层M1栅极并存储在电容Cst中；

步骤14、有机平整层OC覆盖金属层M3；

步骤15、有机平整层OC上打OC洞；

步骤16、在有机平整层OC上镀上阳极金属层Anode与金属层M3相连，接收OVDD电流讯号；

步骤17、在有机平整层OC上镀上画素定义层PDL，并在Anode处开口。