[发明专利]OLED面板的双层LTPO背板结构

说明书

本发明公开了一种OLED面板的双层LTPO背板结构，包括基板、绝缘层PV1、GI层、绝缘层PV2、绝缘层PV3、有机平整层OC，基板上镀上金属层M0，绝缘层PV1覆盖在金属层M0上，绝缘层PV1上镀上a‑si非晶硅层，绝缘层PV1上打VIA1洞，P+层上镀上金属层M0.5，GI层覆盖半导体层、P+层和金属层M0.5，GI层上镀上金属层M1，与P+层形成储存电容Cst；绝缘层PV2覆盖金属层M1，绝缘层PV2镀膜形成IGZO半导体层，IGZO半导体层上分别镀上GI层和金属层M2，GI层将金属层M2与IGZO半导体层隔开；绝缘层PV3覆盖金属层M2和IGZO半导体层，绝缘层PV3上打VIA3洞，绝缘层PV3上镀上金属层M3；本发明公能分别发挥LTPS高电子迁移率、高可靠性和IGZO低漏电流的优点，使OLED面板能达到高分辨率、高稳定性、低功耗的要求。

技术领域

本发明涉及OLED面板技术领域，具体为一种OLED面板的双层LTPO背板结构。

背景技术

传统OLED面板使用LTPS（低温多晶硅）或IGZO（氧化铟镓锌）背板技术方案，二者各有优劣：LTPS背板的优点是电子迁移率大，相同开态电流下，TFT尺寸较IGZO更小，分辨率更高，除此之外LTPS的稳定性也较高；缺点是漏电流大，电容需要不断充电保持画面正常显示，无法实现低频刷新，导致驱动功耗较高。IGZO背板的优点是漏电流较LTPS TFT低，驱动功耗更低，且制备工艺与非晶硅背板相似，成本较LTPS背板低；缺点是电子迁移率较低，TFT尺寸较LTPS更大，分辨率更低，并且IGZO在空气中性质不稳定容易氧化，面板使用寿命较低。为此，我们推出一种OLED面板的双层LTPO背板结构。

发明内容

本发明的目的在于提供一种OLED面板的双层LTPO背板结构，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种OLED面板的双层LTPO背板结构，包括基板、绝缘层PV1、GI层、绝缘层PV2、绝缘层PV3、有机平整层OC，所述基板上镀上金属层M0，所述绝缘层PV1覆盖在金属层M0上，所述绝缘层PV1上镀上a-si非晶硅层，所述a-si非晶硅层包括Poly半导体层和P+层；

所述绝缘层PV1上打VIA1洞，所述P+层上镀上金属层M0.5，所述GI层覆盖半导体层、P+层和金属层M0.5，所述GI层上镀上金属层M1，与P+层形成储存电容Cst；

所述绝缘层PV2覆盖金属层M1，所述绝缘层PV2镀膜形成IGZO半导体层，所述IGZO半导体层上分别镀上GI层和金属层M2，所述GI层将金属层M2与IGZO半导体层隔开；

所述绝缘层PV3覆盖金属层M2和IGZO半导体层，所述绝缘层PV3上打VIA3洞，所述绝缘层PV3上镀上金属层M3；

所述有机平整层OC覆盖金属层M3，所述有机平整层OC上打OC洞，所述有机平整层OC上镀上阳极金属层Anode与金属层M3相连，接收OVDD电流讯号，所述所述有机平整层OC上镀上画素定义层PDL，并在Anode处开口。

所述a-si非晶硅层通过准分子激光退火工艺转化为Poly半导体层，通过高浓度硼离子注入工艺，形成欧姆接触用的P+层。

所述金属层M3作为开关TFT的Source极、Drain极，Drain极接收外部IC送入的Data讯号，Source极和金属层M1相连，将DATA讯号送到驱动TFT的金属层M1并存储在电容Cst中。

一种OLED面板的双层LTPO背板结构的制备方法，具体包括以下步骤：

步骤1、基板上镀上金属层M0；

步骤2、绝缘层PV1覆盖金属层M0；

步骤3、在绝缘层PV1上镀上a-si非晶硅层；

步骤4、通过准分子激光退火工艺将A-si非晶硅层转化为Poly半导体层；

步骤5、通过高浓度硼离子注入工艺，形成欧姆接触用的P+层，作为Source极与Drain极；