[发明专利]铜蚀刻液及阵列基板的制造方法

权利要求书

1.一种铜蚀刻液，其特征在于，包括：

10％-20％质量分数的氧化剂；

3％-10％质量分数的螯合剂；

0％-5％质量分数的铜蚀刻抑制剂；

0.5％-5％质量分数的有机碱；

0.5％-5％质量分数的表面活性剂；以及

余量的水。

2.根据权利要求1所述的铜蚀刻液，其特征在于，所述氧化剂的质量分数为15％-19％。

3.根据权利要求1或2所述的铜蚀刻液，其特征在于，所述氧化剂包括双氧水、过氧乙酸或者过硫酸。

4.根据权利要求1所述的铜蚀刻液，其特征在于，所述螯合剂的质量分数为5％-10％。

5.根据权利要求1或4所述的铜蚀刻液，其特征在于，所述螯合剂为有机酸，所述有机酸包括羧基、氨基中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的铜蚀刻液，其特征在于，所述螯合剂包括丙酸、丙二酸、乙酸、丁二酸、甲酸、对氨基苯磺酸、氨基磺酸、琥珀酸、苹果酸、苯甲酸、柠檬酸、磺基水杨酸、水杨酸丙氨酸、甘氨酸、精氨酸中至少一种。

7.根据权利要求1所述的铜蚀刻液，其特征在于，所述铜蚀刻液还包括pH调节剂，所述pH调节剂包括无机碱或者无机酸。

8.根据权利要求7所述的铜蚀刻液，其特征在于，所述pH调节剂的质量分数为2％-4％。

9.根据权利要求1所述的铜蚀刻液，其特征在于，包括：

15％-19％质量分数的双氧水；

5％-10％质量分数的亚氨基二乙酸；

0％-5％质量分数的羟基苯丙三氮唑；

0.5％-5％质量分数的乙醇胺；

0.5％-5％质量分数的聚乙二醇；以及

余量的去离子水。

10.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

提供基板，在所述基板上形成第一金属层；

图案化所述第一金属层形成栅极；

在所述栅极上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成第二金属层，使用如权利要求1-9任一项所述的铜蚀刻液蚀刻所述第二金属层，以形成源极和漏极，得到所述阵列基板。