[发明专利]铜蚀刻液及阵列基板的制造方法

说明书

本申请公开了一种铜蚀刻液及阵列基板的制造方法，该铜蚀刻液包括：10％‑20％质量分数的氧化剂；3％‑10％质量分数的螯合剂；0％‑5％质量分数的铜蚀刻抑制剂；0.5％‑5％质量分数的有机碱；0.5％‑5％质量分数的表面活性剂；以及余量的水，可以解决与蚀刻液材料相关的数据线爬坡断线问题。

技术领域

本申请涉及显示面板技术领域，具体涉及一种铜蚀刻液及阵列基板的制造方法。

背景技术

高世代线的薄膜晶体管液晶显示器(Thin film transistor liquid crystaldisplay，TFT-LCD)是显示面板技术的重要发展趋势，在高世代线的TFT-LCD的TFT基板的生产工艺中，为了降低阻抗，提高电性，通常会用铜布线。铜蚀刻液在湿蚀刻过程中会遇上许多问题，其中数据线爬坡断线是工艺中面临的主要问题。

数据线爬坡断线是指设置于源漏金属层的数据线与设置于栅金属层的栅线的交汇处发生断线的问题。该问题与栅金属层的金属湿蚀刻工艺关联紧密，源漏金属层与栅金属层交汇处有一个台阶，该台阶会导致光阻覆盖性变差，当光阻与金属之间存在缝隙时，蚀刻液会渗透进入缝隙，造成缝隙处蚀刻剧增，导致过蚀刻，产生断线。

发明内容

本申请提供一种铜蚀刻液及阵列基板的制造方法，以解决数据线爬坡断线问题。

一方面，本申请实施例提供一种铜蚀刻液，包括：10％-20％质量分数的氧化剂；3％-10％质量分数的螯合剂；0％-5％质量分数的铜蚀刻抑制剂；0.5％-5％质量分数的有机碱；0.5％-5％质量分数的表面活性剂；以及余量的水。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述氧化剂的质量分数为15％-19％。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述氧化剂包括双氧水、过氧乙酸或者过硫酸。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述螯合剂的质量分数为5％-10％。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述螯合剂为有机酸，所述有机酸包括羧基、氨基中的至少一种。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述螯合剂包括丙酸、丙二酸、乙酸、丁二酸、甲酸、对氨基苯磺酸、氨基磺酸、琥珀酸、苹果酸、苯甲酸、柠檬酸、磺基水杨酸、水杨酸丙氨酸、甘氨酸、精氨酸中至少一种。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述铜蚀刻液还包括pH调节剂，所述pH调节剂包括无机碱或者无机酸。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述pH调节剂的质量分数为3％。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述铜蚀刻液，包括：15％-19％质量分数的双氧水；5％-10％质量分数的亚氨基二乙酸；0％-5％质量分数的羟基苯丙三氮唑；0.5％-5％质量分数的乙醇胺；0.5％-5％质量分数的聚乙二醇；以及余量的去离子水。

另一方面，本申请还提供一种阵列基板的制造方法，包括：提供基板，在所述基板上形成第一金属层；图案化第一金属层形成栅极；在所述栅极上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成第二金属层，使用如上述的铜蚀刻液蚀刻所述第二金属层，以形成源极和漏极，得到所述阵列基板。

相较于现有技术中的铜蚀刻液，本申请实施例提供一种铜蚀刻液，通过提高氧化剂的质量含量以及螯合剂的质量含量，解决了与蚀刻液材料相关的爬坡断线问题。本申请还提供一种阵列基板的制造方法，通过使用该铜蚀刻液对源漏极金属层进行蚀刻，形成源极和漏极，得到所述阵列基板。通过本申请的阵列基板的制造方法制造的阵列基板，源极处不会产生爬坡断线，提升了阵列基板的可靠性。

附图说明