[发明专利]扭转型3D MEMS探针

说明书

本发明涉及一种扭转型3D MEMS探针，包括机械扭曲段和信号段，所述机械扭曲段包括扭曲稳定模块和扭曲储能模块，所述信号段包括悬臂梁和接触针头，所述扭曲稳定模块底部通过焊盘固定连接PCB板，所述扭曲稳定模块连接扭曲储能模块的一端，所述扭曲储能模块的另一端连接悬臂梁，所述扭曲储能模块和悬臂梁底部悬空，所述扭曲储能模块底部设置若干接触脚，所述接触脚通过焊盘固定连接PCB板，所述悬臂梁的外端连接接触针头。本发明扭转型3D MEMS探针设置机械扭曲段，通过扭曲结构来产生更多的机械形变从而达到同样的弹力下面达到更大的形变应力，从而提升弹性体的机械寿命。

技术领域

本发明涉及MEMS探针领域，具体涉及一种扭转型3D MEMS探针。

背景技术

随着5G和4K的普级，消费电子以及工业电子对主机内存需求的要求越来越大，DRAM芯片晶圆设计的密度和数量都在极具增加，这对于产品测试的挑战很大，消费电子需要产品的出货很迅速，然而DRAM测试无论扫描的数量和扫描的阵列都很大，同时测试速率越来越快有望达到超越6400Mbps，所以DRAM测试使用整片接触测试方案来解决测试速度的瓶颈。该测试方案对探针卡和探针的制作带来极大挑战，传统意义上的悬臂梁MEMS探针弹力比较大、滑动距离也比较大，精度和长度的限制无法适用与DRAM高速测试。

发明内容

本发明的目的在于提供一种扭转型3D MEMS探针，用以解决现有技术中的悬臂梁的MEMS探针精度差不适用于DRAM高速测试的问题。

本发明提供了一种扭转型3D MEMS探针，包括机械扭曲段和信号段，所述机械扭曲段包括扭曲稳定模块和扭曲储能模块，所述信号段包括悬臂梁和接触针头，所述扭曲稳定模块底部通过焊盘固定连接PCB板，所述扭曲稳定模块连接扭曲储能模块的一端，所述扭曲储能模块的另一端连接悬臂梁，所述扭曲储能模块和悬臂梁底部悬空，所述扭曲储能模块底部设置若干接触脚，所述接触脚通过焊盘固定连接PCB板，所述悬臂梁的外端连接接触针头。

进一步的，所述接触针头的材料为铑、钯、铑的合金或钯的合金。

进一步的，所述扭曲储能模块和悬臂梁的连接处底部设置接触脚。

进一步的，所述机械扭曲段的长度D1为2-6mm，所述机械扭曲段的角度R1为30°～60°。

进一步的，所述信号段的长度D2为1-3mm，所述信号段弯曲角度R2为10°-80°。

进一步的，所述接触针头的根部设置弧形平台。

采用上述本发明技术方案的有益效果是：

本发明扭转型3D MEMS探针设置机械扭曲段，通过扭曲结构来产生更多的机械形变从而达到同样的弹力下面达到更大的形变应力，从而提升弹性体的机械寿命；信号段的长度D2为1-3mm，导通路径可以做到小于2mm，超短的传输路径，可以提供大于3GHz的带宽，同时，较短的信号段，大大见底了电源平面的阻抗，提升了整体电路的电源完整性。

附图说明

图1为本发明扭转型3D MEMS探针结构示意图；

图2为本发明扭转型3D MEMS探针俯视图；

附图中，各标号所代表的部件列表如下：

1-扭曲稳定模块，2-扭曲储能模块，3-悬臂梁，4-接触针头，5-焊盘，6-PCB板，7-接触脚，8-弧形平台。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。