[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

多个标准单元，其设置在与衬底的上表面平行的第一方向和与所述第一方向相交的第二方向上，其中，所述多个标准单元中的每一个包括有源区、与所述有源区相交的栅极结构、在所述有源区上位于所述栅极结构的两侧的源极/漏极区、以及电连接至所述有源区和所述栅极结构的互连线；和

填充物单元，其位于所述多个标准单元中的标准单元之间，其中，所述填充物单元中的每一个包括填充物有源区和与所述填充物有源区相交的填充物栅极结构，

其中，所述多个标准单元包括在所述第二方向上顺序地位于第一行、第二行和第三行中的第一标准单元、第二标准单元和第三标准单元，

其中，所述第一标准单元的互连线中的互连线在所述第二方向上以第一间距布置，所述第二标准单元的互连线中的互连线在所述第二方向上以与所述第一间距不同的第二间距布置，并且所述第三标准单元的互连线中的互连线在所述第二方向上以与所述第一间距和所述第二间距不同的第三间距布置。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一标准单元内的互连线、所述第二标准单元内的互连线和所述第三标准单元内的互连线在所述第二方向上分别具有实质上相同的宽度。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一标准单元的互连线在所述第二方向上具有第一宽度，所述第二标准单元的互连线在所述第二方向上具有与所述第一宽度不同的第二宽度，所述第三标准单元的互连线在所述第二方向上具有与所述第一宽度和所述第二宽度不同的第三宽度。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一标准单元至所述第三标准单元具有不同的单元高度。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一标准单元的有源区、所述第二标准单元的有源区和所述第三标准单元的有源区中的至少一个的宽度不同于所述第一标准单元的有源区、所述第二标准单元的有源区和所述第三标准单元的有源区中的另一个的宽度。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，所述第一标准单元的互连线、所述第二标准单元的互连线和所述第三标准单元的互连线包括在所述第一方向上沿着所述第一标准单元的边界、所述第二标准单元的边界和所述第三标准单元的边界延伸的相应的电力传输线，并且

其中，位于所述第一标准单元和所述第二标准单元之间的边界上的相应的电力传输线在所述第二方向上的宽度不同于位于所述第二标准单元和所述第三标准单元之间的边界上的相应的电力传输线在所述第二方向上的宽度。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一标准单元的互连线在所述第二方向上以所述第一间距布置，或者所述第一标准单元的互连线在所述第二方向上在所述第一标准单元的互连线中的互连线之间以作为所述第一间距的倍数的中心间隔布置。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二标准单元的互连线的子集在所述第二方向上以大于所述第二间距的第四间距布置。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，在所述第二标准单元的互连线中，以所述第四间距布置的所述互连线的子集与所述第二标准单元的边界相邻。

10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，在所述第二标准单元的互连线中，以所述第四间距布置的所述互连线的子集在所述第二方向上位于所述第二标准单元的中心区域中。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个标准单元还包括在所述第一方向上位于两端的虚设栅极结构。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

上互连线，其位于所述多个标准单元和所述填充物单元的上部上，所述上互连线将所述第一标准单元的互连线、所述第二标准单元的互连线和所述第三标准单元的互连线彼此电连接。