[发明专利]半导体装置

说明书

一种半导体装置包括：标准单元，其位于与衬底的上表面平行的第一方向和与第一方向相交的第二方向上；和填充物单元，其位于标准单元中的标准单元之间。标准单元中的每一个包括有源区、与有源区相交的栅极结构、在有源区上位于栅极结构的两侧的源极/漏极区、以及互连线。填充物单元中的每一个包括填充物有源区和与填充物有源区相交的填充物栅极结构。标准单元包括在第二方向上分别顺序地位于第一行、第二行和第三行中的第一标准单元、第二标准单元和第三标准单元。第一互连线以第一间距布置，第二互连线以第二间距布置，并且第三互连线以与第一间距和第二间距不同的第三间距布置。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年10月30日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2020-0143629的优先权的权益，其公开内容通过引用整体并入本文。

技术领域

本公开的示例实施例涉及半导体装置。

背景技术

随着对半导体装置中的高性能、高速度和/或多功能性的需求增加，半导体装置的集成度已经增加。根据半导体装置高度集成化的趋势，对布局设计(尤其是用于连接半导体装置的互连线的高效布线)的研究已经在积极进行。

发明内容

本公开的示例实施例提供了一种具有改善的集成度和可靠性的半导体装置。

根据本公开的示例实施例，一种半导体装置包括：多个标准单元，其设置在与衬底的上表面平行的第一方向和与所述第一方向相交的第二方向上，并且所述多个标准单元中的每一个包括有源区、与所述有源区相交的栅极结构、在所述有源区上位于所述栅极结构的两侧的源极/漏极区、以及电连接至所述有源区和所述栅极结构的互连线；和填充物单元，其位于所述多个标准单元中的标准单元之间，并且所述填充物单元中的每一个包括填充物有源区和与所述填充物有源区相交的填充物栅极结构。所述多个标准单元包括在所述第二方向上顺序地位于第一行、第二行和第三行中的第一标准单元、第二标准单元和第三标准单元。所述第一标准单元的互连线中的互连线在所述第二方向上以第一间距布置，所述第二标准单元的互连线中的互连线在所述第二方向上以与所述第一间距不同的第二间距布置，并且所述第三标准单元的互连线中的互连线在所述第二方向上以与所述第一间距和所述第二间距不同的第三间距布置。

根据本公开的示例实施例，一种装置包括：第一标准单元，其位于衬底上并且包括第一半导体装置和电连接到所述第一半导体装置的第一信号传输线；和第二标准单元，其与所述衬底上的所述第一标准单元接触，并且包括第二半导体装置和电连接到所述第二半导体装置的第二信号传输线。所述第一信号传输线中的第一信号传输线以第一间距布置，并且所述第二信号传输线中的第二信号传输线以与所述第一间距不同的第二间距布置。所述第一标准单元和所述第二标准单元被包括在被配置为执行第一功能的第一电路功能块中。

根据本公开的示例实施例，一种半导体装置包括：多个电路功能块，其被配置为执行不同的电路功能，并且在衬底上彼此间隔开，并且所述多个电路功能块中的每一个包括多个标准单元。所述多个标准单元包括相对于所述衬底位于同一水平高度上的第一标准单元和第二标准单元，所述第一标准单元包括多条第一互连线，所述第二标准单元包括多条第二互连线。所述多条第一互连线中的第一互连线和所述多条第二互连线中的第二互连线具有不同的间距。所述多条第一互连线中的所述第一互连线和所述多条第二互连线中的所述第二互连线具有不同的宽度。

附图说明

根据以下结合附图的详细描述将更清楚地理解本公开的上述和其它方面、特征和优点，在附图中：

图1是示出根据本公开的示例实施例的设计和制造半导体装置的方法的流程图；

图2是示出根据本公开的示例实施例的用于设计半导体装置的设计系统的框图；

图3是示出根据本公开的示例实施例的半导体装置的框图；

图4是示出根据本公开的示例实施例的半导体装置的布局图；