[发明专利]一种晶圆背面减薄的方法及晶圆结构

说明书

本申请实施例涉及半导体领域，提供一种晶圆背面减薄的方法及晶圆结构，其中，一种晶圆背面减薄的方法包括：提供晶圆，晶圆具有相对的第一面和第二面，且晶圆具有中心区和边缘区，边缘区包围中心区；在第一面的边缘区形成保护胶，保护胶还覆盖于与第一面相邻接的部分侧面，且保护胶顶面高于第一面；沿着第二面指向第一面的方向上，对晶圆的第二面进行减薄处理，且减薄处理过程中还对部分厚度的保护胶进行减薄，可以提高减薄晶圆过程中工艺的控制的稳定性。

技术领域

本申请实施例涉及半导体领域，特别涉及一种晶圆背面减薄的方法及晶圆结构。

背景技术

晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状一般设置为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可以加工制作成各种电路元件结构，从而称为具有特定电性功能的集成电路产品；在晶圆加工工艺中，晶圆通常要经过减薄后才能进行后续的封装、测试等流程，常用的减薄工艺分为机械研磨、化学腐蚀和化学机械平坦化三种。

机械研磨通常是将晶片放在卡盘上，通过粗磨然后精磨两个步骤对晶圆进行减薄；化学腐蚀通常是将晶圆放置在化学腐蚀液内，通过控制腐蚀时间或者其他工艺参数实现对晶圆特定厚度的减薄；化学机械平坦化通常是将晶圆固定，然后涂抹化学浆，并用抛光垫将化学浆均匀分布与晶圆上，从而实现晶圆的减薄。

然而，目前在化学机械研磨减薄晶圆的过程中会出现晶圆破裂的问题。

发明内容

本申请实施例提供一种晶圆背面减薄的方法，至少有利于降低在机械研磨减薄晶圆过程中晶圆破裂的概率。

根据本申请一些实施例，本申请实施例提供一种晶圆背面减薄的方法，包括：提供晶圆，所述晶圆具有相对的第一面和第二面，且所述晶圆具有中心区和边缘区，所述边缘区包围所述中心区；在所述第一面的所述边缘区形成保护胶，所述保护胶还覆盖于与第一面相邻接的部分侧面，且所述保护胶顶面高于所述第一面；沿着所述第二面指向所述第一面的方向上，对所述晶圆的所述第二面进行减薄处理，且所述减薄处理过程中还对部分厚度的所述保护胶进行减薄。

在一些实施例中，所述保护胶还覆盖于与所述边缘区相邻接的部分所述第一面的所述中心区。

在一些实施例中，在形成所述保护胶的工艺步骤中，形成绕所述边缘区一圈连续的所述保护胶。

在一些实施例中，在形成所述保护胶的工艺步骤中，形成绕所述边缘区一圈且间隔设置的多个所述保护胶。

在一些实施例中，所述第一面具有径向方向，在沿所述径向方向上，所述保护胶的宽度小于或等于1.5mm。

在一些实施例中，在垂直于所述中心区的所述第一面的方向上，所述保护胶远离所述第一面的底面与所述中心区的所述第一面之间的距离为30μm～200μm。

在一些实施例中，在垂直于所述中心区的所述第一面的方向上，所述保护胶顶面与所述中心区的所述第一面之间的距离为50μm～250μm。

在一些实施例中，所述保护胶的材料包括热固性酚醛树脂、环氧树脂或者热固性酚醛树脂及环氧树脂的组合物。

在一些实施例中，在形成所述保护胶的工艺步骤中，包括：在所述第一面的所述边缘区及与第一面相邻接的部分侧面形成初始保护胶；对所述初始保护胶进行热固化处理，形成所述保护胶。

在一些实施例中，形成所述初始保护胶的方法包括：提供承载台以及喷嘴装置；将所述晶圆的所述第二面置于所述承载台上，且利用所述喷嘴装置向所述边缘区的所述第一面喷涂保护胶材料，且在喷涂的过程中，所述承载台带动所述晶圆绕所述晶圆的中心轴线旋转，形成所述初始保护胶。

在一些实施例中，所述保护胶热固化处理温度范围为90℃～180℃。