[发明专利]一种清洗研磨垫的方法、系统、电子设备及存储介质

说明书

本申请公开了一种清洗研磨垫的方法、系统、电子设备及存储介质，其中清洗方法包括：获取研磨垫研磨晶圆的研磨片数；所述研磨片数达到预设阈值时，生成第一指令；根据所述第一指令控制机台对所述研磨垫执行清洗操作。可以实现机台自动清洗研磨垫上残留的晶边杂质，在研磨垫上的杂质被清洗后，再次对晶圆进行研磨时会减少刮伤影响，降低晶圆刮伤缺陷概率。

技术领域

本申请涉及但不限于半导体的技术领域，尤其涉及一种清洗研磨垫的方法、系统、电子设备及存储介质。

背景技术

在动态随机存取存储器(DRAM)半导体制程工艺，特别是化学机械研磨(CMP)制程中，由于晶边脱落并在研磨垫上逐渐累积，在研磨过程中极易形成晶圆刮伤缺陷，导致产品良率降低。

相关的半导体工艺流程中，通常使用研磨液的方式对研磨垫进行清洗、保湿，但是该种方式对化学机械研磨制程中晶圆刮伤缺陷的解决并无显著效果；再有大多采用人工手动去做，流程繁琐且容易遗漏。

发明内容

本申请的目的是提供一种清洗研磨垫的方法、系统、电子设备及存储介质，为解决现有技术中采用研磨液清洗的方式对晶圆刮伤缺陷的解决并无显著效果，并且人工手动清洗的方式流程繁琐且容易遗漏的问题。

为解决上述技术问题，根据一些实施例，本申请提供了一种清洗研磨垫的方法，包括：获取研磨垫研磨晶圆的研磨片数；所述研磨片数达到预设阈值时，生成第一指令；根据所述第一指令控制机台对所述研磨垫执行清洗操作。

优选的是，所述获取研磨垫研磨晶圆的研磨片数包括：获取研磨垫连续研磨晶圆的第一累计研磨片数或者研磨垫间隔研磨晶圆的第二累计研磨片数。

优选的是，所述研磨片数达到预设阈值时，生成第一指令，其中达到所述预设阈值为达到150-250片。

优选的是，所述生成第一指令包括：当研磨片数达到预设阈值时，生成“研磨垫自动冲洗”操作弹窗选项，提醒进行冲洗动作。

优选的是，在根据所述第一指令控制机台执行冲洗操作之前还包括：判断该“研磨垫自动清洗”操作弹窗选项是否被选择，若选择，则进入下一步工序；若没有选择，则进入待定模式。

优选的是，若没有选择，则进入待定模式具体包括：在待定模式下，控制所述机台每隔一段时间内发出提示声。

优选的是，根据所述第一指令控制机台执行清洗操作具体包括：当“研磨垫自动清洗”操作弹窗选项被选择时，获取机台状态；若机台处于闲置状态，根据所述第一指令控制机台执行清洗操作；若机台处于工作状态，根据所述第一指令控制机台在结束工作进入闲置状态之后自动执行清洗操作。

优选的是，在所述研磨片数达到预设阈值时，生成第一指令之前还包括：根据研磨垫的研磨情况，选择适合研磨垫清洗的参数条件。

优选的是，根据研磨垫的研磨情况，选择适合研磨垫清洗的参数条件，具体包括：选择合适的冲洗液、冲洗液的流量以及冲洗的时间。

优选的是，所述冲洗液选自喷洒溶液或去离子水中的任意一种或两种，冲洗液的流量控制在5L-15L/min，冲洗时间控制在10-30min之间。

根据另一些实施例，本申请还提供了一种清洗研磨垫的系统，包括：

获取模块，其用于获取研磨垫研磨晶圆的研磨片数；生产执行模块，其用于所述研磨片数达到预设阈值时，生成第一指令；控制模块，其用于根据所述第一指令控制机台执行清洗操作。

根据另一些实施例，本申请还提供了一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现一种清洗研磨垫的方法的步骤。

根据另一些实施例，本申请还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行时实现一种清洗研磨垫的方法。