[发明专利]一种存储器CMOS电路在审
| 申请号： | 202111256050.2 | 申请日： | 2020-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN114049908A | 公开（公告）日： | 2022-02-15 |
| 发明（设计）人： | 赵利川 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/30 | 分类号： | G11C16/30;G11C5/14 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 高洁;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 cmos 电路 | ||
1.一种存储器CMOS电路，其特征在于，所述存储器CMOS电路包括：
高压功能电路，包括至少一个MOS管，其中一所述MOS管的源极端或漏极端接入输入高压；
辅助钳位电路，设于所述输入高压和所述MOS管的源极端或漏极端之间；
其中，所述辅助钳位电路包括：并联连接的第一耗尽型高压NMOS管及第二耗尽型高压NMOS管，所述第一耗尽型高压NMOS管与所述第二耗尽型高压NMOS管相连的第一连接端并接入所述输入高压，所述第一耗尽型高压NMOS管与所述第二耗尽型高压NMOS管相连的第二连接端并接入所述MOS管的源极端或漏极端，所述第一耗尽型高压NMOS管的栅极端接入预设电压，所述第二耗尽型高压NMOS管的栅极端连接于所述高压功能电路的输出端；其中，所述预设电压小于所述输入高压。
2.根据权利要求1所述的存储器CMOS电路，其特征在于，所述第二耗尽型高压NMOS管的阈值电压小于0。
3.根据权利要求1所述的存储器CMOS电路，其特征在于，所述预设电压等于所述输入高压的一半。
4.根据权利要求1所述的存储器CMOS电路，其特征在于，所述第一耗尽型高压NMOS管的阈值电压小于0。
5.根据权利要求1所述的存储器CMOS电路，其特征在于，所述辅助钳位电路还包括：至少一个第三耗尽型高压NMOS管，所述第三耗尽型高压NMOS管与所述第一耗尽型高压NMOS管并联连接，所述第三耗尽型高压NMOS管的栅极端接入另一预设电压；其中，接入所述第三耗尽型高压NMOS管栅极端的预设电压小于接入所述第一耗尽型高压NMOS管栅极端的预设电压。
6.根据权利要求5所述的存储器CMOS电路，其特征在于，在所述第三耗尽型高压NMOS管的数量为多个时，多个所述第三耗尽型高压NMOS管的第一连接端均与所述第一耗尽型高压NMOS管并联相连，多个所述第三耗尽型高压NMOS管的栅极端分别接入一预设电压，此时各所述预设电压的数值逐次递增，且数值最大的所述预设电压小于接入所述第一耗尽型高压NMOS管栅极端的预设电压。
7.根据权利要求5或6所述的存储器CMOS电路，其特征在于，接入所述第一耗尽型高压NMOS管栅极端的预设电压等于所述输入高压的一半。
8.根据权利要求5或6所述的存储器CMOS电路，其特征在于，所述第一耗尽型高压NMOS管的阈值电压小于0，所述第三耗尽型高压NMOS管的阈值电压小于0。
9.根据权利要求1所述的存储器CMOS电路，其特征在于，所述高压功能电路包括开关电路或电平转换电路中的一种。
10.根据权利要求9所述的存储器CMOS电路，其特征在于，所述电平转换电路包括第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管；
所述第一MOS管与所述第三MOS管串联连接，所述第一MOS管的漏极端或源极端接入所述输入高压，所述第三MOS管的漏极端或源极端接地，所述第三MOS管的栅极端用于输入反相使能信号；所述第二MOS管的源极端或漏极端用于输入使能信号，所述第二MOS管的漏极端或源极端与所述第一MOS管的栅极端相连，所述第二MOS管的栅极端接地。
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