[发明专利]半导体工艺设备及晶圆清洗方法

说明书

本申请公开了一种半导体工艺设备及晶圆清洗方法，涉及半导体装备及工艺领域。一种半导体工艺设备包括：装载腔室、传输腔室、连接腔室、传输装置和清洗装置；装载腔室与传输腔室之间通过连接腔室连接，传输装置用于经过连接腔室由装载腔室向传输腔室传输晶圆，并在经过连接腔室时停止在设置于连接腔室中的预设清洗工位处，清洗装置设置于连接腔室中，用于对传输至清洗工位的晶圆进行清洗。一种晶圆清洗方法包括：通过传输装置将晶圆由装载腔室传输至清洗工位；通过清洗装置对晶圆进行清洗；通过传输装置将清洗完成后的晶圆由清洗工位传输至传输腔室。本申请能够解决晶圆表面的杂质导致电阻率不合格的问题。

技术领域

本申请属于半导体装备及工艺技术领域，具体涉及一种半导体工艺设备及晶圆清洗方法。

背景技术

化学气相沉积外延生长是将反应气体输送到反应腔，通过加热等方式，使之反应，生长原子沉积在晶圆上，以长出单晶层。

当前，采用一些生长外延层的设备进行外延层生长工艺，在进行工艺之前，晶圆不可避免地与外界空气接触，使得空气中的粉尘等杂质附着在晶圆表面，并使晶圆局部产生氧化层，从而会导致晶圆电阻率不合格。

发明内容

本申请实施例的目的是提供一种半导体工艺设备及晶圆清洗方法，能够解决晶圆表面的杂质导致电阻率不合格的问题。

为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备，该半导体工艺设备包括：装载腔室、传输腔室、连接腔室、传输装置和清洗装置；

所述装载腔室与所述传输腔室之间通过所述连接腔室连接，所述传输装置用于经过所述连接腔室由所述装载腔室向所述传输腔室传输晶圆，并在经过所述连接腔室时停止在设置于所述连接腔室中的预设清洗工位处，所述清洗装置设置于所述连接腔室中，用于对传输至所述清洗工位的所述晶圆进行清洗。

本申请实施例还提供了一种晶圆清洗方法，应用于上述半导体工艺设备，该晶圆清洗方法包括以下步骤：

通过所述传输装置将晶圆由所述装载腔室传输至所述清洗工位；

通过所述清洗装置对所述晶圆进行清洗；

通过所述传输装置将清洗完成后的所述晶圆由所述清洗工位传输至所述传输腔室。

本申请实施例中，通过传输装置可以实现晶圆在装载腔室、连接腔室和传输腔室之间的传输，使晶圆由装载腔室经过连接腔室传输至传输腔室，在晶圆进行外延层生长工艺之前，对晶圆的表面进行清理，以保证晶圆表面洁净。具体为，在连接腔室内设置清洗装置，在晶圆传输过程中，传输装置将晶圆由装载腔室经过连接腔室传输至传输腔室，并在连接腔室内的清洗工位处停止，通过清洗装置对晶圆的表面进行清洗，以去除晶圆表面的粉尘、氧化层等杂质，从而有效缓解了粉尘、氧化层等杂质随晶圆进入外延层生长工艺的腔室，进而使外延生长后的晶圆电阻率均匀，保证了晶圆电阻率的合格性。

附图说明

图1为本申请实施例公开的半导体工艺设备的结构示意图；

图2为本申请实施例公开的清洗器、导轨及驱动机构的结构示意图；

图3为本申请实施例公开的清洗器沿导轨运动的轨迹示意图；

图4为本申请实施例公开的清洗器的结构示意图；

图5为本申请实施例公开的清洗器位于导轨的起始位置情况下，供电线和进气管均处于折叠状态的示意图；

图6为本申请实施例公开的清洗器位于导轨的终点位置情况下，供电线和进气管处于伸展状态的示意图；

图7为本申请实施例公开的传输装置拾取晶圆的结构示意图；