[发明专利]半导体结构的制作方法以及半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：

形成预备基底结构，所述预备基底结构包括衬底、堆叠结构、栅介电层以及介质材料层，其中，所述堆叠结构位于所述衬底上，所述堆叠结构包括本体结构和位于所述本体结构中的沟道孔，所述本体结构包括交替设置的绝缘介质层和牺牲层，所述栅介电层位于所述沟道孔的内壁上，所述介质材料层位于所述栅介电层的部分表面上，且所述介质材料层的裸露表面低于所述本体结构的远离所述衬底的表面；

去除部分的所述栅介电层，使得所述沟道孔的远离所述衬底的部分侧壁裸露，剩余的所述预备基底结构为基底结构，所述沟道孔中未被填充的部分形成凹槽；

在所述凹槽中形成插塞；

在所述插塞的裸露表面上形成导电柱。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，去除部分的所述栅介电层，使得所述沟道孔的远离所述衬底的部分侧壁裸露，包括：

采用各项同性刻蚀法刻蚀所述栅介电层，使得所述沟道孔的远离所述衬底的部分侧壁裸露。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述栅介电层包括沿远离所述沟道孔的侧壁方向依次叠置的电荷阻挡层、电子捕获层、隧穿层以及沟道层，采用各项同性刻蚀法刻蚀所述栅介电层，使得所述沟道孔的远离所述衬底的部分侧壁裸露，包括：

向反应腔内依次通入包括氢氟酸的第一刻蚀液和包括四甲基氢氧化铵的第二刻蚀液，以去除部分的所述沟道层，使得部分的所述隧穿层裸露；

向所述反应腔内依次通入包括所述氢氟酸的第三刻蚀液、包括磷酸的第四刻蚀液以及所述第三刻蚀液，以依次去除裸露的所述隧穿层、所述电子捕获层以及所述电荷阻挡层，或者控制所述反应腔的温度在55℃-70℃范围内，且向所述反应腔内通入包括氢氟酸的第五刻蚀液，以依次去除裸露的所述隧穿层、所述电子捕获层以及所述电荷阻挡层。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述栅介电层包括沿远离所述沟道孔的侧壁方向依次层叠的电荷阻挡层、电子捕获层、隧穿层以及沟道层，采用各项同性刻蚀法刻蚀所述栅介电层，使得所述沟道孔的远离所述衬底的部分侧壁裸露，包括：

向反应腔内通入包括氯化氢和/或者氯气的第一刻蚀气体，以去除部分的所述沟道层，使得部分的所述隧穿层裸露；

向所述反应腔内通入包括碳氟化合物的第二刻蚀气体，以依次去除裸露的所述隧穿层、所述电子捕获层以及所述电荷阻挡层。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，形成预备基底结构，包括：

提供所述衬底；

在所述衬底上形成预备堆叠结构，所述预备堆叠结构包括交替设置的所述绝缘介质层和所述牺牲层；

在所述预备堆叠结构内形成贯穿至所述衬底的所述沟道孔；

在所述沟道孔中依次形成所述栅介电层以及所述介质材料层。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述沟道孔中依次形成所述栅介电层以及介质材料层，包括：

在所述沟道孔的裸露表面上形成所述栅介电层；

在所述栅介电层的部分裸露表面上形成预备介质材料层；

采用各项异性刻蚀法刻蚀去除部分所述预备介质材料层，使得剩余的所述预备介质材料层的裸露表面低于所述本体结构的远离所述衬底的表面，剩余的所述预备介质材料层形成所述介质材料层。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述预备堆叠结构内形成贯穿至所述衬底的所述沟道孔之后，在所述沟道孔中依次形成所述栅介电层以及所述介质材料层之前，所述方法还包括：

在所述沟道孔的底部形成外延层。

8.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构采用权利要求1至7中任一项所述的制作方法形成。