[发明专利]一种带磁屏蔽结构的高压开关柜非接触式电流测量装置在审

专利信息
申请号: 202111259095.5 申请日: 2021-10-28
公开(公告)号: CN113866476A 公开(公告)日: 2021-12-31
发明(设计)人: 司文荣;陈川;钱森;鞠登峰;胡海敏;朱炯;杨剑 申请(专利权)人: 国网上海市电力公司;全球能源互联网研究院有限公司;西安交通大学
主分类号: G01R15/20 分类号: G01R15/20;G01R19/00;G01R1/18;G01R1/04
代理公司: 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 代理人: 应小波
地址: 200122 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 屏蔽 结构 高压 开关柜 接触 电流 测量 装置
【权利要求书】:

1.一种带磁屏蔽结构的高压开关柜非接触式电流测量装置,其特征在于,包括待测相位母排(1)、母排套环(2)、磁屏蔽体(3)、TMR电流传感器芯片(4)、磁屏蔽体套环(5)、PCB板套环(6)、PCB板(7)和导杆(8);

所述的待测相位母排(1)穿过磁屏蔽体(3)内部,所述的磁屏蔽体(3)左右两端面开孔作为屏蔽间隙,所述的TMR电流传感器芯片(4)安装在待测相位母排(1)与磁屏蔽体(3)的上部之间,所述的TMR电流传感器芯片(4)置于PCB板(7)上,所述的待测相位母排(1)通过母排套环(2)固定,所述的磁屏蔽体(3)通过磁屏蔽体套环(5)固定,所述的PCB板(7)通过PCB板套环(6)固定,所述的母排套环(2)、磁屏蔽体套环(5)、PCB板套环(6)通过导杆(8)连接。

2.根据权利要求1所述的一种带磁屏蔽结构的高压开关柜非接触式电流测量装置,其特征在于,所述的TMR电流传感器芯片(4)为TMR7204-C系列电流传感器。

3.根据权利要求1所述的一种带磁屏蔽结构的高压开关柜非接触式电流测量装置,其特征在于,所述的磁屏蔽体(3)为采用镍铁坡莫合金制作而成的屏蔽体。

4.根据权利要求1所述的一种带磁屏蔽结构的高压开关柜非接触式电流测量装置,其特征在于,所述的母排套环(2)、磁屏蔽体套环(5)、PCB板套环(6)均采用环氧树脂套环。

5.根据权利要求1所述的一种带磁屏蔽结构的高压开关柜非接触式电流测量装置,其特征在于,所述的导杆(8)为采用环氧树脂制作而成的导杆。

6.根据权利要求1所述的一种带磁屏蔽结构的高压开关柜非接触式电流测量装置,其特征在于,所述的磁屏蔽体(3)为矩形,其内表面与待测相位母排(1)平行。

7.根据权利要求1所述的一种带磁屏蔽结构的高压开关柜非接触式电流测量装置,其特征在于,所述的屏蔽间隙的宽度为4mm,磁屏蔽体(3)的长度为200mm,厚度为2mm。

8.根据权利要求1所述的一种带磁屏蔽结构的高压开关柜非接触式电流测量装置,其特征在于,所述的磁屏蔽体(3)的屏蔽间隙朝向干扰相电流侧。

9.根据权利要求1所述的一种带磁屏蔽结构的高压开关柜非接触式电流测量装置,其特征在于,所述的TMR电流传感器芯片(4)的敏感轴方向与屏蔽间隙平行。

10.根据权利要求1所述的一种带磁屏蔽结构的高压开关柜非接触式电流测量装置,其特征在于,所述的TMR电流传感器芯片(4)位于待测相位母排(1)的上方50mm。

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