[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板，包括自下向上依次层叠设置的衬底、栅极、栅极绝缘层、有源层、源漏层、钝化层以及透明导电层，所述源漏层包括间隔设置的源极和漏极，其特征在于，所述有源层的材质包括铟镓锌氧化物，所述钝化层包括自下向上依次叠设的有机平坦层和第一钝化层，所述第一钝化层的材质包括聚酰亚胺。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述栅极的厚度为15～25nm；和/或，

所述栅极绝缘层的厚度为200～250nm；和/或，

所述有源层的厚度为40～60nm；和/或，

所述源漏层的厚度为150～250nm；和/或，

所述有机平坦层的厚度为800～1000nm；和/或，

所述第一钝化层的厚度为700～900nm；和/或，

所述有机平坦层的材质包括如结构式(1)和(2)的有机物的至少一种：

其中，m、n分别为正整数，X、Y、Q各自独立地选自氢原子、卤素原子、羧基或烷基。

3.一种如权利要求1或2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底，并在衬底的上侧制备栅极；

在所述栅极的上侧制备栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层的上侧制备有源层；

采用磁控溅射法，在所述有源层的上侧制备源漏层；

在所述源漏层的上侧旋涂依次形成有机平坦层和第一钝化层；

在所述钝化层的上侧制备透明导电层。

4.如权利要求3所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述提供衬底，并在衬底的上侧制备栅极的步骤包括：

提供衬底，并采用磁控溅射法，在所述衬底上制备栅极。

5.如权利要求4所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，

所述磁控溅射法的工作气体为氩气，氩气的流量为50～60sccm；和/或，

所述磁控溅射法的溅射气压0.36～0.4Pa；和/或，

所述磁控溅射法的溅射功率0.11～0.15kW；和/或，

所述磁控溅射法的溅射速率4～6nm/s。

6.如权利要求3所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述栅极绝缘层的上侧制备有源层的步骤包括：

采用磁控溅射法，在所述栅极绝缘层的上侧制备有源层。

7.如权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，

所述磁控溅射法的工作气体包括氩气，所述氩气的流量为40～50sccm；和/或，

所述磁控溅射法的反应气体包括氧气，所述氧气的流量3～5sccm；和/或，

所述磁控溅射法的溅射气压0.4～0.6Pa；和/或，

所述磁控溅射法的溅射功率0.1～0.2kW；和/或，

所述磁控溅射法的溅射速率7～8nm/min。

8.如权利要求3所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述源漏层的上侧旋涂依次形成有机平坦层和第一钝化层的步骤包括：

将有机平坦层的原料旋涂在所述源漏层的上侧，在100～120℃下烘烤1～1.2h，形成薄膜，对所述薄膜进行刻蚀，得有机平坦层；

在所述有机平坦层的上侧旋涂聚酰亚胺，在300～320℃下烘烤1～1.2h，形成聚酰亚胺膜，对所述聚酰亚胺膜进行刻蚀，形成第一钝化层。