[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板

说明书

本发明公开一种阵列基板及其制备方法、显示面板，阵列基板包括自下向上依次层叠设置的衬底、栅极、栅极绝缘层、有源层、源漏层、钝化层以及透明导电层，所述源漏层包括间隔设置的源极和漏极，所述有源层的材质包括铟镓锌氧化物，所述钝化层包括自下向上依次叠设的有机平坦层和第一钝化层，所述第一钝化层的材质包括聚酰亚胺。本发明提出的阵列基板，钝化层不仅具有保护沟道层的作用，还能够对液晶进行配向，使得该阵列基板无需设置其他复杂的功能层，结构简单、性能稳定，简化了制造的流程和工艺。

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。

背景技术

TFT(Thin Film Transistor)是薄膜晶体管的缩写，是阵列基板的重要部件。在TFT技术中，非晶金属氧化物TFT具有载流子迁移率、漏电流等优点，以及制造工艺和制造成本等各方面都比较均衡，被认为是下一代显示的主流技术，a-IGZO TFT(透明非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管)是目前使用最多的TFT，但由于a-IGZO TFT的背沟道容易受环境中的水分子和氧分子影响，从而使TFT器件特性受到一定的影响，因此要求对a-IGZO TFT器件背沟道进行钝化来对水、氧进行阻隔。目前对a-IGZO TFT器件进行钝化的材料主要有二氧化硅，氮化硅，氧化铝等，但是这些钝化层的成膜后，阵列基板的背沟道很容易受到离子的轰击从而会恶化TFT器件的稳定性，且制造过程复杂。

发明内容

本发明的主要目的是提出一种阵列基板及其制备方法、显示面板，旨在提供一种便于制造、稳定性好的的阵列基板。

为实现上述目的，本发明提出一种阵列基板，包括自下向上依次层叠设置的衬底、栅极、栅极绝缘层、有源层、源漏层、钝化层以及透明导电层，所述源漏层包括间隔设置的源极和漏极，所述有源层的材质包括铟镓锌氧化物，所述钝化层包括自下向上依次叠设的有机平坦层和第一钝化层，所述第一钝化层的材质包括聚酰亚胺。

可选地，

所述栅极的厚度为15～25nm；和/或，

所述栅极绝缘层的厚度为200～250nm；和/或，

所述有源层的厚度为40～60nm；和/或，

所述源漏层的厚度为150～250nm；和/或，

所述有机平坦层的厚度为800～1000nm；和/或，

所述第一钝化层的厚度为700～900nm；和/或，

所述有机平坦层的材质包括如结构式(1)和(2)的有机物的至少一种：

其中，m、n分别为正整数，X、Y、Q各自独立地选自氢原子、卤素原子、羧基或烷基。

本发明进一步提出一种如上所述的阵列基板的制备方法，包括以下步骤：

提供衬底，并在衬底的上侧制备栅极；

在所述栅极的上侧制备栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层的上侧制备有源层；

采用磁控溅射法，在所述有源层的上侧制备源漏层；

在所述源漏层的上侧旋涂依次形成有机平坦层和第一钝化层；

在所述钝化层的上侧制备透明导电层。

可选地，所述提供衬底，并在衬底的上侧制备栅极的步骤包括：

提供衬底，并采用磁控溅射法，在所述衬底上制备栅极。

可选地，

所述磁控溅射法的工作气体为氩气，氩气的流量为50～60sccm；和/或，