[发明专利]受控开关切换电路和开关装置有效
申请号: | 202111260804.1 | 申请日: | 2021-10-28 |
公开(公告)号: | CN113708747B | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
发明(设计)人: | 刘炽锋;张鑫 | 申请(专利权)人: | 广州慧智微电子股份有限公司 |
主分类号: | H03K17/041 | 分类号: | H03K17/041;H03K17/687 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 王军红;张颖玲 |
地址: | 510663 广东省广州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 受控 开关 切换 电路 装置 | ||
1.一种受控开关切换电路,应用于负压模块,其特征在于,包括:
第一使能信号接收端,用于接收所述负压模块的第一使能信号,所述第一使能信号指示所述负压模块输出负压信号;
控制输出端,用于与所述负压模块中的受控开关的受控端相连;所述受控开关连接在所述负压模块的输出端和接地点之间;所述受控开关导通,所述负压模块输出端接地,所述负压模块停止输出负电压;所述受控开关截止,所述负压模块输出端输出负电压;
使能控制组件,包括:第一控制组件和第二控制组件,所述第一控制组件的第一受控端与所述第一使能信号接收端相连,所述第一控制组件的第二受控端与所述第二控制组件相连;所述第一控制组件的输出端与所述控制输出端相连;所述第一控制组件与第一电源相连,所述第二控制组件与第二电源相连;
所述第二控制组件,用于:在所述第一使能信号使能时,输出第一电压以及在所述第一使能信号失效时,输出第二电压,其中,所述第一电压为地电压,所述第二电压从负压值逐渐升高至地电压;所述负压值与所述负压模块输出电压之间的差值小于预设阈值;
所述第一控制组件,用于:在所述第一使能信号使能且所述第二控制组件输出第一电压时,输出第一控制信号,以及在所述第一使能信号失效且所述第二控制组件输出第二电压时,输出第二控制信号;其中,所述第一控制信号能控制所述受控开关截止,所述第二控制信号能控制所述受控开关导通。
2.根据权利要求1所述电路,其特征在于,所述第一控制组件包括:第一输出路径和第二输出路径;所述第一输出路径的受控端为所述第一受控端,所述第二输出路径的受控端为所述第二受控端;
所述第一输出路径的输入端与第一电源相连,所述第一输出路径的输出端与所述控制输出端相连;所述第二输出路径的输入端与所述负压模块的输出端相连,所述第二输出路径的输出端与所述控制输出端相连;
所述第一使能信号使能时,所述第一使能信号的电压值为第一电源电压,所述第二控制组件输出第一电压,所述第一输出路径截止,所述第二输出路径导通并输出所述第一控制信号;
所述第一使能信号失效时,所述第一使能信号的电压值为地电压,所述第二控制组件输出第二电压,所述第二输出路径截止,所述第一输出路径导通并输出所述第二控制信号。
3.根据权利要求2所述电路,其特征在于,所述第二控制组件与所述第二输出路径的受控端相连,用于基于第二使能信号控制第二输出路径的导通状态;所述第二使能信号受控于第一使能信号,当第一使能信号的电压值为地电压时,第二使能信号的电压值为第二电源电压,第一使能信号的电压值为第一电源电压时,第二使能信号的电压值为地电压。
4.根据权利要求2所述电路,其特征在于,所述第一输出路径包括:第一NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管和第三PMOS管;其中所述第一NMOS管和所述第一PMOS管受控于所述第一使能信号;所述第一NMOS管的源极接地,所述第一NMOS管的漏极与所述第三PMOS管的源极相连,所述第一PMOS管的源极与第一电源相连,所述第一PMOS管的漏极与所述第二PMOS管的源极相连,所述第二PMOS管的栅极接地,所述第二PMOS管的漏极与所述第三PMOS管的源极相连,所述第三PMOS管的栅极接地,所述第三PMOS管的漏极与所述受控开关的受控端相连;
所述第一使能信号的电压值为地电压时,所述第一NMOS管截止,且所述第一PMOS管、所述第二PMOS管和所述第三PMOS管导通;
所述第一使能信号的电压值为第一电源电压时,所述第一NMOS管导通,且所述第一PMOS管、所述第二PMOS管和所述第三PMOS管截止。
5.根据权利要求2所述电路,其特征在于,所述第二输出路径至少包括:第二NMOS管和第三NMOS管;其中,所述第二NMOS管的源极与所述负压模块的输出端相连,所述第二NMOS管的栅极接地,所述第二NMOS管的漏极与所述第三NMOS管的源极相连,所述第三NMOS管的栅极与所述第二控制组件的输出端相连,所述第三NMOS管的漏极与所述受控开关的受控端相连;
所述第一使能信号的电压值为地电压时,所述第二NMOS管和所述第三NMOS管截止;
所述第一使能信号的电压值为第一电源电压,所述第二NMOS管和所述第三NMOS管导通。
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