[发明专利]微晶玻璃、化学强化玻璃和半导体支撑基板有效
| 申请号： | 202111261226.3 | 申请日： | 2019-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN113788621B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 李清;荒井雄介;小池章夫;小野和孝;古田仁美;泽村茂辉 | 申请（专利权）人： | AGC株式会社 |
| 主分类号： | C03C10/04 | 分类号： | C03C10/04;C03C10/02;C03C21/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 杨青;安翔 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 玻璃 化学 强化 半导体 支撑 | ||
【权利要求书】：
1.一种化学强化玻璃，其为在表面具有压应力层的化学强化玻璃，其中，
所述化学强化玻璃的换算成厚度0.7mm时的可见光透射率为85%以上，并且换算成厚度0.7mm时的雾度值为0.5%以下，
所述化学强化玻璃的表面压应力值为500MPa以上并且压应力层深度为80μm以上，
所述化学强化玻璃以如下（1）～（2）中的任一种作为主要晶体：
（1）偏硅酸锂晶体、
（2）偏硅酸锂晶体和磷酸锂晶体，并且
所述化学强化玻璃为微晶玻璃，以氧化物基准的质量%计，所述微晶玻璃含有：
48%～59.9%的SiO2、
1%～12%的Al2O3、
10%～25%的Li2O、
0.5%～12%的P2O5、和
1%～15%的ZrO2。
2.如权利要求1所述的化学强化玻璃，其中，所述化学强化玻璃的从表面起算的深度为50μm处的压应力值为100MPa以上。
3.如权利要求1或2所述的化学强化玻璃，其中，所述化学强化玻璃在50℃～350℃的范围内的平均热膨胀系数为 90×10-7/℃～140×10-7/℃。
4.如权利要求1或2所述的化学强化玻璃，其中，所述化学强化玻璃的维氏硬度为600以上。
5.一种半导体支撑基板，其包含权利要求1～4中任一项所述的化学强化玻璃。
6.一种电子设备，其包含权利要求1～4中任一项所述的化学强化玻璃。
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