[发明专利]测量耐久性的方法及执行磨损均衡的方法

权利要求书

1.一种测量非易失性存储器件的耐久性的方法，所述非易失性存储器件包括多个存储块，所述方法包括：

周期性地接收用于所述多个存储块当中的第一存储块的读取命令；

基于所述读取命令，对所述第一存储块周期性地执行读取操作；

基于所述读取操作的结果，周期性地输出与所述第一存储块相关联的至少一个单元计数值；

响应于与所述第一存储块相关联的耐久性信息的周期性接收，周期性地存储所述耐久性信息，所述耐久性信息通过累积所述至少一个单元计数值被获得。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述的周期性地执行读取操作包括：

在第一时间点，基于第一读取电压，对包括在所述第一存储块中的多个存储单元当中的第一存储单元执行第一读取操作；以及

在从所述第一时间点过去第一时间间隔的第二时间点，基于所述第一读取电压，对所述第一存储单元执行第二读取操作。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一存储单元与连接到所述第一存储块的多条字线当中的第一字线连接。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一字线为连接到所述第一存储块的所述多条字线当中的边缘字线。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述的周期性地输出至少一个单元计数值包括：

在第一时间点，基于所述第一读取操作的结果生成与所述第一存储单元相关联的第一单元计数值，以输出所述第一单元计数值；以及

在第二时间点，基于所述第二读取操作的结果生成与所述第一存储单元相关联的第二单元计数值，以输出所述第二单元计数值。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第一单元计数值表示在所述第一时间点所述第一存储单元当中的导通单元的数量。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述导通单元表示所述第一存储单元当中的具有低于所述第一读取电压的阈值电压的存储单元。

8.根据权利要求5所述的方法，其中，所述的周期性地存储所述耐久性信息包括：

基于所述第一单元计数值和所述第二单元计数值，获得与所述第一存储块相关联的第一耐久性值；以及

响应于所述第一耐久性值的接收，存储所述第一耐久性值。

9.根据权利要求8所述的方法，其中：

所述第一耐久性值取决于所述第一存储单元当中的导通单元的数量的改变，

其中，所述第一耐久性值越大，所述第一存储块的耐久性越高，以及

其中，所述第一耐久性值越小，所述第一存储块的耐久性越低。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述的周期性地执行读取操作还包括：

在从所述第二时间点过去所述第一时间间隔的第三时间点，基于所述第一读取电压对所述第一存储单元执行第三读取操作。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述的周期性地输出至少一个单元计数值还包括：

在所述第三时间点，基于所述第三读取操作的结果生成与所述第一存储单元相关联的第三单元计数值，以输出所述第三单元计数值。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述的周期性地存储所述耐久性信息还包括：

基于所述第一单元计数值、所述第二单元计数值和所述第三单元计数值，更新与所述第一存储块相关联的所述第一耐久性值；以及

响应于更新的第一耐久性值的接收，存储所述更新的第一耐久性值。

13.根据权利要求8所述的方法，其中，所述的周期性地执行读取操作还包括：

在所述第一时间点，基于不同于所述第一读取电压的第二读取电压，对所述第一存储单元执行第三读取操作；以及

在所述第二时间点，基于所述第二读取电压，对所述第一存储单元执行第四读取操作。