[发明专利]测量耐久性的方法及执行磨损均衡的方法在审
申请号: | 202111265668.5 | 申请日: | 2021-10-28 |
公开(公告)号: | CN114490428A | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
发明(设计)人: | 吴玄教;崔相炫;卢羌镐 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G06F12/02 | 分类号: | G06F12/02;G11C16/34 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 李娜;王凯霞 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 测量 耐久性 方法 执行 磨损 均衡 | ||
一种测量包括多个存储块的非易失性存储器件的耐久性的方法,所述方法包括:周期性地接收用于所述多个存储块当中的第一存储块的读取命令;基于所述读取命令,对所述第一存储块周期性地执行读取操作;基于所述读取操作的结果,周期性地输出与所述第一存储块相关联的至少一个单元计数值;响应于与所述第一存储块相关联的耐久性信息的周期性接收,周期性地存储所述耐久性信息,所述耐久性信息通过累积所述至少一个单元计数值被获得。
相关申请的交叉引用
于2020年11月13日在韩国知识产权局提交的标题为“Method of MeasuringDurability of Nonvolatile Memory Device and Method of Performing Wear-Leveling in Storage Device Using the Same(测量非易失性存储器件的耐久性的方法及使用其在存储设备中执行磨损均衡的方法)”的韩国专利申请No.10-2020-0151649通过引用全部合并于此。
技术领域
示例实施例总体上涉及半导体集成电路,更具体地,涉及测量非易失性存储器件的耐久性的方法,以及使用测量非易失性存储器件的耐久性的方法在存储设备中执行磨损均衡的方法。
背景技术
特定类型的数据存储设备包括一个或更多个半导体存储器件。这种数据存储设备的示例包括固态驱动器(SSD)。这些类型的数据存储设备可以通过硬盘驱动器(HDD)具有各种设计和/或性能优势。潜在优势的示例包括无需移动机械部件、更高的数据访问速度、稳定性、耐久性和/或低功耗。近期,例如膝上型计算机、汽车、飞机、无人机等各种系统已经采用SSD进行数据存储。
发明内容
实施例涉及一种测量非易失性存储器件的耐久性的方法,所述非易失性存储器件包括多个存储块,所述方法包括:周期性地接收用于所述多个存储块当中的第一存储块的读取命令;基于所述读取命令,对所述第一存储块周期性地执行读取操作;基于所述读取操作的结果,周期性地输出与所述第一存储块相关联的至少一个单元计数值;以及响应于与所述第一存储块相关联的耐久性信息的周期性接收,周期性地存储所述耐久性信息,所述耐久性信息通过累积所述至少一个单元计数值被获得。
实施例还涉及一种在存储设备中执行磨损均衡的方法,所述存储设备包括存储控制器和多个非易失性存储器件,所述多个非易失性存储器件中的每个非易失性存储器件包括多个存储块,所述方法包括:通过周期性地获得与所述多个存储块当中的第一存储块相关联的至少一个单元计数值,周期性地获得与所述第一存储块相关联的耐久性信息;以及基于所述耐久性信息,将存储在所述第一存储块中的第一数据移动到第二存储块。所述的周期性地获得耐久性信息可以包括:由所述存储控制器周期性地提供用于所述第一存储块的读取命令;基于所述读取命令,对所述第一存储块周期性地执行读取操作;由所述多个非易失性存储器件,基于所述读取操作的结果,周期性地提供所述至少一个单元计数值;以及由所述存储控制器周期性地提供所述耐久性信息,所述耐久性信息通过累积所述至少一个单元计数值被获得。
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