[发明专利]超高纯锗单晶〈100〉晶向缺陷的检测方法

权利要求书

1.一种超高纯锗单晶100晶向缺陷的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一，取片：从超高纯锗单晶纯度合格晶体段两头取1～3mm厚的单晶片，将单晶片单面铣磨平整光滑；

步骤二，配置腐蚀液：硝酸∶氢氟酸∶10％硝酸铜＝1～2∶1～3∶1～2；

步骤三，腐蚀单晶片；

步骤四，清洗吹干：用纯水将腐蚀后的单晶片清洗干净，用氮气吹干；

步骤五，检测：先观察单晶片表面是否有缺陷，如有将用金相显微镜确认是盘状坑、系数结构体、马赛克结构中的哪种缺陷；然后对单晶片进行位错检测；

步骤六，缺陷图：将晶体型号、盘状坑、系数结构体、马赛克结构缺陷、检测点的位错密度、单晶片的位错密度EPD标注在缺陷图上。

2.根据权利要求1所述的超高纯锗单晶100晶向缺陷的检测方法，其特征在于，在步骤一中，所述取片使用的仪器为切割机。

3.根据权利要求1所述的超高纯锗单晶100晶向缺陷的检测方法，其特征在于，在步骤一中，铣磨使用的仪器为铣磨机。

4.根据权利要求3所述的超高纯锗单晶100晶向缺陷的检测方法，其特征在于，在步骤二中，硝酸的UP级浓度为65％～71％；氢氟酸的UP级浓度为45％～49％。

5.根据权利要求1所述的超高纯锗单晶100晶向缺陷的检测方法，其特征在于，

在步骤二中，腐蚀液为：硝酸∶氢氟酸∶10％硝酸铜＝1∶1～3∶1。

6.根据权利要求1所述的超高纯锗单晶100晶向缺陷的检测方法，其特征在于，

在步骤三中，所述腐蚀的具体操作为：将单晶片放入腐蚀液中，光滑面朝上，使单晶片按120～150r/min的速度，沿同一方向旋转5～7min，腐蚀出均匀亮点；

在步骤三中，腐蚀温度6～8min。

7.根据权利要求1所述的超高纯锗单晶100晶向缺陷的检测方法，其特征在于，在步骤四中，氮气的纯度不低于9N。

8.根据权利要求1所述的超高纯锗单晶100晶向缺陷的检测方法，其特征在于，

在步骤五中，检测的方法为：选取单晶片中6个测量点，视场为1mm²，用金相显微镜检测这6个测量点的位错数。

9.根据权利要求1所述的超高纯锗单晶100晶向缺陷的检测方法，其特征在于，

在步骤六中，所述检测点的位错密度计算公式为n_d＝n_i/S；

S-视场面积，单位为平方厘米(cm²)，n_i-穿过视场面积S的腐蚀坑数目。

10.根据权利要求1所述的超高纯锗单晶100晶向缺陷的检测方法，其特征在于，

在步骤六中，所述单晶片的位错密度EPD＝1/6∑n_d。