[发明专利]超高纯锗单晶〈100〉晶向缺陷的检测方法

说明书

本申请公开一种超高纯锗单晶100晶向缺陷的检测方法，包括以下步骤：步骤一，取片：从超高纯锗单晶纯度合格晶体段两头取单晶片，将单晶片单面铣磨平整光滑；步骤二，配置腐蚀液；步骤三，腐蚀单晶片；步骤四，清洗吹干；步骤五，检测：先观察单晶片表面是否有缺陷，如有将用金相显微镜确认是盘状坑、系数结构体、马赛克结构中的哪种缺陷；然后对单晶片进行位错检测；步骤六，缺陷图：将晶体型号、盘状坑、系数结构体、马赛克结构缺陷、检测点的位错密度、单晶片的位错密度EPD标注在缺陷图上。本公开的方法得到的缺陷图由位错密度、盘状坑、系数结构体、马赛克结构构成，可直观看出单晶片的缺陷种类，分布情况及数值。

技术领域

本发明涉及超高纯锗单晶缺陷检测领域，具体涉及一种超高纯锗单晶〈100〉晶向缺陷的检测方法。

背景技术

超高纯锗单晶的完整性规格要求有位错、盘状坑、系数结构体、马赛克结构这四个方面的要求。现公布的超高纯锗单晶缺陷的检测只公布了关于位错的检测，因此，需要一种检测方法将超高纯锗单晶缺陷检测完整。

发明内容

鉴于背景技术中存在的问题，本公开的目的在于提供一种超高纯锗单晶〈100〉晶向缺陷的检测方法。

为了实现上述目的，本公开提供了种超高纯锗单晶〈100〉晶向缺陷的检测方法，包括以下步骤：步骤一，取片：从超高纯锗单晶纯度合格晶体段两头取1～3mm厚的单晶片，将单晶片单面铣磨平整光滑；步骤二，配置腐蚀液：硝酸：氢氟酸：10％硝酸铜＝1～2：1～3：1～2；步骤三，腐蚀单晶片；步骤四，清洗吹干：用纯水将腐蚀后的单晶片清洗干净，用氮气吹干；步骤五，检测：先观察单晶片表面是否有缺陷，如有将用金相显微镜确认是盘状坑、系数结构体、马赛克结构中的哪种缺陷；然后对单晶片进行位错检测；步骤六，缺陷图：将晶体型号、盘状坑、系数结构体、马赛克结构缺陷、检测点的位错密度、单晶片的位错密度EPD标注在缺陷图上。

在一些实施例中，在步骤一中，所述取片使用的仪器为切割机。

在一些实施例中，在步骤一中，铣磨使用的仪器为铣磨机。

在一些实施例中，在步骤二中，硝酸的UP级浓度为65％～71％；氢氟酸的UP级浓度为45％～49％。

在一些实施例中，在步骤二中，腐蚀液为：硝酸：氢氟酸：10％硝酸铜＝1:1～3:1。

在一些实施例中，在步骤三中，所述腐蚀的具体操作为：将单晶片放入腐蚀液中，光滑面朝上，使单晶片按120～150r/min的速度，沿同一方向旋转5～7min，腐蚀出均匀亮点。

在一些实施例中，在步骤三中，腐蚀时间5～8min。

在一些实施例中，在步骤四中，氮气的纯度不低于9N。

在一些实施例中，在步骤五中，检测的方法为：选取单晶片中6个测量点，视场为1mm²，用金相显微镜检测这6个测量点的位错数。

在一些实施例中，在步骤六中，所述检测点的位错密度计算公式为n_d＝n_i/S；S—视场面积，单位为平方厘米(cm²)，n_i—穿过视场面积S的腐蚀坑数目。

在一些实施例中，在步骤六中，所述单晶片的位错密度EPD＝1/6∑n_d。

本公开的有益效果如下：

本公开的超高纯锗单晶〈100〉晶向缺陷的检测方法得到的缺陷图由位错密度、盘状坑、系数结构体、马赛克结构构成，可直观看出单晶片的缺陷种类，分布情况及数值。

附图说明

图1为实施例1的单晶片位错检测点。

图2为实施例1的缺陷记录图。