[发明专利]一种LED晶片的切割裂片方法

权利要求书

1.一种LED晶片的切割裂片方法，包括步骤如下：

(1)将晶片N面向上放入贴膜机中，用蓝膜覆盖晶片N面，加热，进行一次N面贴膜作业，然后将晶片P面向上，使用划片机对晶片P面进行划片作业；

(2)将步骤(1)所得晶片P面向上放入贴膜机中，再放入隔离环，使得晶片位于隔离环的中央，用蓝膜覆盖晶片P面，加热，进行一次P面贴膜作业；

其中，所述隔离环为圆环结构；

(3)将步骤(2)所得晶片翻转，使得晶片N面向上P面向下，然后去除N面蓝膜，取下隔离环，使用划片机对晶片N面进行划片作业；保持晶片N面向上，放入隔离环，使得晶片位于隔离环的中央，用蓝膜覆盖晶片N面，加热，进行一次N面贴膜作业；

(4)将步骤(3)所得晶片翻转，使得晶片P面向上N面向下，然后去除P面蓝膜，取下隔离环，使用划片机对晶片P面进行划片作业；

(5)保持晶片P面向上，在晶片P面均匀的涂覆保护液，然后通过高压清洗机的离心力将保护液甩均匀，形成保护液层，用蓝膜覆盖晶片P面保护液层，加热，进行一次P面贴膜作业；

(6)将步骤(5)所得晶片使用裂片机中进行裂片，裂片后使用高压清洗机对晶片进行清洗，完成LED晶片的切割裂片。

2.如权利要求1所述的LED晶片的切割裂片方法，其特征在于，步骤(1)中，所述晶片为减薄后的晶片，厚度为80～120μm。

3.如权利要求1所述的LED晶片的切割裂片方法，其特征在于，步骤(1)中，所述加热温度为50～60℃。

4.如权利要求1所述的LED晶片的切割裂片方法，其特征在于，步骤(1)中，所述蓝膜型号为SPV-224，所述蓝膜的尺寸为220mm*100m～260mm*100m。

5.如权利要求1所述的LED晶片的切割裂片方法，其特征在于，步骤(2)中，所述隔离环的小直径比晶片直径大0.4～0.6cm，厚度比晶片厚度薄8～12μm，大直径为16～18cm，材料为不锈钢或塑料。

6.如权利要求1所述的LED晶片的切割裂片方法，其特征在于，步骤(2)中，所述划片机为锯片机、紫外激光切割机、SD激光切割机或刀轮切割机。

7.如权利要求1所述的LED晶片的切割裂片方法，其特征在于，步骤(4)中，所述保护液为水、聚醚、表面活性剂的混合溶液；所述水、聚醚、表面活性剂的体积比为10：(4～6)：(4～6)。

8.如权利要求7所述的LED晶片的切割裂片方法，其特征在于，所述表面活性剂为月桂基磺化琥珀酸单酯二钠或椰油酸二乙醇酰胺。

9.如权利要求1所述的LED晶片的切割裂片方法，其特征在于，步骤(4)中，所述保护液层的厚度为3-6μm。