[发明专利]一种LED晶片的切割裂片方法

说明书

本发明涉及一种LED晶片的切割裂片方法。包括步骤(1)晶片N面向上，N面贴膜，然后晶片P面向上，划片；(2)晶片P面向上，放隔离环，P面贴膜；(3)将晶片翻转，N面向上P面向下，去除N面蓝膜，取下隔离环，划片；N面向上，放隔离环，N面贴膜；(4)晶片翻转，P面向上N面向下，去除P面蓝膜，取下隔离环，划片；(5)P面向上，涂覆保护液，P面贴膜；(6)裂片，清洗，完成LED晶片的切割裂片。本发明提供的切割裂片方法，能够有效避免切割裂片过程中造成的晶片损伤，提高产品合格率，保证产品的效益，并且能完全杜绝蓝膜残胶遗留在晶片表面，提高产品外观及焊线良率。

技术领域

本发明涉及一种LED晶片的切割裂片方法，属于LED芯片技术领域。

背景技术

在LED芯片制备工艺中，切割就是将经过光刻、镀膜、减薄等工艺制程后的整个芯片分割成所需求尺寸的单一晶粒的过程，这是半导体发光二极管芯片制备工艺中不可或缺的一道工序。对于LED芯片，比较传统的也是目前业界采用最广泛的切割方式是锯片切割。

激光切割是随着激光技术的发展而出现的一种新型的切割技术，主要有激光表面切割和隐形切割两种。激光切割是通过一定能量密度和波长的激光束聚焦在芯片表面或内部，通过激光在芯片表面或内部灼烧出划痕，然后再用裂片机沿划痕裂开，形成若干小的芯片。然而，在晶片的裂片过程中，由于紫外激光、SD激光切割、刀轮切割后晶片已经存在一定程度裂纹风险，在翻转的过程中容易导致晶片损伤，造成损失，影响产出，并且经过切割的晶片再用裂片机劈裂时会有蓝膜残胶残留在晶片表面，造成晶片污染，影响产品外观及焊线良率。

中国专利文献CN104347760A公开了一种LED芯片的切割方法，包括在芯片背面用激光划出划痕，用金刚石锯片刀沿划痕锯片，还包括将背切的芯片翻转倒膜，用裂片刀在芯片正面沿沟槽切割成一颗颗晶粒。该方法的缺点是在翻转的过程中容易造成晶片损伤，产生损失，影响产出和整体合格率。

中国专利文献CN102079015A公开了一种GaAs基LED芯片的激光切割方法，包括在GaAs芯片N面用激光切割形成激光划痕，然后在GaAs芯片P面用裂片机沿激光划痕将芯片裂开，形成激光划痕的深度为芯片厚度的1/10-4/5。该专利方法在裂片的压力下，会形成蓝膜残胶残留在晶片表面，不易清洗干净，会造成产品外观不良、焊线不合格，影响下游的客户使用。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提供一种LED晶片的切割裂片方法。

本发明的技术方案如下：

一种LED晶片的切割裂片方法，包括步骤如下：

(1)将晶片N面向上放入贴膜机中，用蓝膜覆盖晶片N面，加热，进行一次N面贴膜作业，然后将晶片P面向上，使用划片机对晶片P面进行划片作业；

(2)将步骤(1)所得晶片P面向上放入贴膜机中，再放入隔离环，使得晶片位于隔离环的中央，用蓝膜覆盖晶片P面，加热，进行一次P面贴膜作业；

其中，所述隔离环为圆环结构；

(3)将步骤(2)所得晶片翻转，使得晶片N面向上P面向下，然后去除N面蓝膜，取下隔离环，使用划片机对晶片N面进行划片作业；保持晶片N面向上，放入隔离环，使得晶片位于隔离环的中央，用蓝膜覆盖晶片N面，加热，进行一次N面贴膜作业；

(4)将步骤(3)所得晶片翻转，使得晶片P面向上N面向下，然后去除P面蓝膜，取下隔离环，使用划片机对晶片P面进行划片作业；

(5)保持晶片P面向上，在晶片P面均匀的涂覆保护液，然后通过高压清洗机的离心力将保护液甩均匀，形成保护液层，用蓝膜覆盖晶片P面保护液层，加热，进行一次P面贴膜作业；

(6)将步骤(5)所得晶片使用裂片机中进行裂片，裂片后使用高压清洗机对晶片进行清洗，完成LED晶片的切割裂片。